R5460N207AF-TR-FE 是一款由 Vishay 公司生产的功率 MOSFET 芯片,属于 SiHF 系列。该芯片采用 N 沟道增强型 MOSFET 技术,广泛用于需要高效率和低导通电阻的开关应用中。其设计优化了静态和动态性能,能够满足高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等应用的需求。
该器件采用 TO-263 (DPAK) 封装形式,具有出色的热性能和电气性能,同时具备良好的耐用性和可靠性。Vishay 的制造工艺确保了该产品在极端工作条件下的稳定性。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:48A
导通电阻(典型值):1.9mΩ
栅极电荷(Qg):54nC
输入电容(Ciss):4350pF
输出电容(Coss):140pF
反向传输电容(Crss):110pF
功耗:115W
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-263 (DPAK)
R5460N207AF-TR-FE 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力,支持高达 48A 的连续漏极电流。
3. 出色的热性能,确保在高温环境下仍能稳定运行。
4. 快速开关速度,适合高频应用。
5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
6. 小型化的 TO-263 封装,便于 PCB 布局和散热设计。
7. 广泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃),适用于各种恶劣环境。
R5460N207AF-TR-FE 可应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
6. 汽车电子系统中的大电流开关。
7. LED 驱动器中的功率调节组件。
其高电流能力和低导通电阻使其成为高性能功率管理的理想选择。
R5460N207AF-TR-FE-S, R5460N207AF-TR-GS, R5460N207AF-TR-HS