时间：2025/7/17 21:03:57
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UPB1509GV-E1 是一款由 Rohm（罗姆）公司制造的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于各种电源管理和功率控制场合。这款 MOSFET 设计用于高效率和高可靠性的应用，适用于开关模式电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (Id)：9 A
漏源击穿电压 (Vds)：30 V
栅源击穿电压 (Vgs)：±20 V
导通电阻 (Rds(on))：34 mΩ @ Vgs = 10 V, Id = 4.5 A
封装形式：SOP（表面贴装封装）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
UPB1509GV-E1 具备低导通电阻，可以有效降低导通损耗并提高系统的整体效率。其设计允许在较高的开关频率下运行，从而减小外部电感和电容的尺寸，有助于实现更紧凑的电路设计。此外，该器件采用 SOP 封装，具有良好的散热性能，能够在较高的环境温度下稳定工作。
这款 MOSFET 的高栅极绝缘能力（±20 V）确保了在高压应用中长期使用的可靠性，减少了因过压导致的失效风险。同时，它具备较低的输入电容（Ciss），有助于减少驱动损耗，提高开关速度，从而进一步提升系统效率。
UPB1509GV-E1 的热稳定性良好，能够承受瞬时过载和短路条件下的高温应力。这种特性使其特别适合用于需要高可靠性和耐久性的工业设备和汽车电子系统中。此外，该器件的封装结构优化了引线电感，有助于减少高频开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI）。
由于其优异的电气特性和封装设计，UPB1509GV-E1 可以轻松替代其他类似的功率 MOSFET，而无需对现有电路进行重大修改。这使得它成为许多标准电源应用的理想选择。
UPB1509GV-E1 主要用于各类 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关、电机控制器以及便携式电子设备的电源管理模块。此外，它也适用于工业自动化设备、服务器电源系统和汽车电子控制系统。
Si4410BDY-T1-GE3, FDS6680, AO4406A
