时间：2025/8/14 2:12:40
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LESD8D5.0CB1T5G 是一款由ON Semiconductor生产的静电放电（ESD）保护二极管阵列。该器件专为保护敏感电子设备免受静电放电和其他瞬态电压事件的影响而设计，适用于多种通信接口和高速数据线路。LESD8D5.0CB1T5G采用8引脚的DFN封装，具备低电容、低钳位电压和快速响应时间的特点，非常适合用于USB、HDMI、以太网等高速接口的ESD保护。
类型：ESD保护二极管阵列
封装：DFN-8
工作温度范围：-55°C 至 150°C
最大工作电压：5.0V
峰值脉冲电流（8/20μs）：每通道8A
钳位电压（Vc）：最大9.5V（在8A时）
反向击穿电压（VBR）：最小5.5V
漏电流（IR）：最大100nA（在5.0V时）
电容（每通道）：最大0.5pF
通道数：8
保护等级：IEC 61000-4-2 Level 4
LESD8D5.0CB1T5G 是一款高性能的ESD保护器件，其多通道设计使其能够同时保护多条信号线，适用于高密度电路板设计。该器件采用了先进的硅雪崩技术，能够在极短时间内将高能ESD脉冲导通到地，从而有效保护下游的敏感电子元件。
LESD8D5.0CB1T5G具有非常低的寄生电容（每通道仅为0.5pF），这对于保持高速信号完整性至关重要，尤其是在高频和高速数据传输应用中，如USB 3.0、HDMI和DisplayPort。其低钳位电压特性可确保在ESD事件中提供更强的保护能力，减少对被保护器件的应力。
此外，LESD8D5.0CB1T5G的工作温度范围广泛（-55°C至150°C），适合在各种环境条件下使用，包括汽车电子和工业控制系统。其DFN-8封装体积小巧，有助于节省PCB空间，并支持表面贴装工艺，便于自动化生产。
该器件符合IEC 61000-4-2 Level 4标准，即最高级别的ESD抗扰度要求，可在接触放电时承受高达±8kV的静电冲击，确保设备在恶劣环境下的稳定运行。
LESD8D5.0CB1T5G 主要用于需要多通道ESD保护的应用场合，例如便携式电子设备中的USB接口、HDMI和DisplayPort接口、以太网端口、音频/视频信号线等。其低电容和高速响应特性使其特别适合用于保护高速数据传输线路，防止静电放电损坏敏感的IC和连接器。
在通信设备中，LESD8D5.0CB1T5G可用于保护路由器、交换机和基站中的数据接口。在工业控制和自动化系统中，它可以为PLC、传感器和现场总线接口提供可靠的ESD防护。此外，该器件也广泛应用于消费类电子产品、汽车电子、医疗设备和测试仪器等领域。
LESD8D5.0CLB1T5G, PESD8V5U1BA, NUP8110, ESDA8V5B1T5G
