时间：2025/8/5 16:06:51
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IXFR55N50F 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种高功率电子设备中。该器件设计用于高效、高可靠性的功率转换和控制应用，如电源、DC-DC 转换器、电机驱动器等。IXFR55N50F 采用 TO-247 封装形式，具有优良的热管理和电气性能，能够承受较高的电压和电流。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
漏极电流（Id）：55A
导通电阻（Rds(on)）：0.17Ω
功率耗散（Ptot）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
栅极电压（Vgs）：±20V
封装类型：TO-247
IXFR55N50F 的主要特性之一是其高耐压能力和高电流承载能力，使其适用于高功率应用。该器件的导通电阻较低，减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，IXFR55N50F 具有快速开关特性，能够减少开关损耗，提高工作频率，从而减小外部电路元件的尺寸和重量。其 TO-247 封装提供了良好的散热性能，有助于提高器件在高功率下的稳定性和可靠性。
该 MOSFET 还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下正常工作，适合用于苛刻的工作条件。其栅极驱动电压范围宽，允许使用多种驱动电路，增加了设计的灵活性。此外，IXFR55N50F 具有较高的短路耐受能力，能够在瞬态过载情况下保持稳定运行，提高了系统的安全性和可靠性。
IXFR55N50F 广泛应用于各种高功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、电机驱动器、逆变器和焊接设备等。由于其高效率和高可靠性，该器件也非常适合用于工业自动化设备、电动汽车充电系统和可再生能源系统（如太阳能逆变器）中。此外，IXFR55N50F 还可用于高频电源转换器和功率因数校正（PFC）电路中，以提高系统的整体效率和性能。
IXFR55N50P, IRF550N, STP55NF50, FDP55N50
