类型：NPN双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大发射极-基极电压（Veb）：5 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　过渡频率（fT）：250 MHz
　　电流增益（hFE）：110（最小值，典型值可达800）
　　工作温度范围：-55°C至150°C

LEDZ16BT1G晶体管具有多项优良特性，使其适用于广泛的高频和低噪声应用。
　　首先，该晶体管的过渡频率（fT）高达250 MHz，表明它能够在较高的频率下保持良好的增益特性，适用于射频放大器和高速开关电路。这使得LEDZ16BT1G在无线通信、射频识别（RFID）和高频振荡器中表现出色。
　　其次，其电流增益（hFE）范围较宽，最小值为110，在特定工作条件下可高达800，提供了较高的信号放大能力。这种高增益特性使其适用于低噪声前置放大器、音频放大电路和传感器信号调理电路。
　　此外，该器件采用SOT-23封装，体积小、重量轻，适合在高密度PCB布局中使用。SOT-23封装还具有良好的热稳定性和机械强度，能够在较宽的温度范围内可靠运行（-55°C至+150°C），适用于工业级和汽车电子应用。
　　LEDZ16BT1G的功耗较低，最大为300 mW，适合低功耗设计，延长电池供电设备的使用寿命。其最大集电极电流为100 mA，集电极-发射极电压为30 V，能够满足中等功率放大和开关应用的需求。
　　最后，该晶体管具有良好的线性度和低噪声系数，适用于需要高保真信号处理的模拟电路和混合信号电路中。

LEDZ16BT1G晶体管广泛应用于以下领域：
　　1. 射频（RF）放大器：由于其高过渡频率（fT）和低噪声特性，适用于无线通信模块、FM接收器和射频前端电路。
　　2. 低噪声前置放大器：用于音频设备、传感器信号放大和测量仪器中，提升信号质量。
　　3. 高速开关电路：适用于数字逻辑电路、脉冲调制和驱动小型负载（如LED、继电器等）。
　　4. 模拟和混合信号电路：用于运算放大器输入级、电压调节器和电源管理模块。
　　5. 工业自动化和汽车电子：由于其宽工作温度范围和高可靠性，适用于汽车控制系统、工业仪表和传感器接口电路。
　　6. 教育和研发：作为教学实验和电子项目开发中的通用高频晶体管，用于验证电路设计和进行性能测试。

BC847B, 2N3904, MMBT3904, 2N2222A, PN2222A