时间：2025/7/9 10:43:06
阅读：17
IPDH6N03LAG 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电力电子应用。
该芯片广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等需要高效能功率转换的场景。其优化的电气特性使其成为高性能功率管理的理想选择。
型号：IPDH6N03LAG
类型：N 沟道 MOSFET
VDS（漏源电压）：30V
RDS(on)（导通电阻）：4.5mΩ（典型值，@ VGS=10V）
ID（连续漏极电流）：79A
功耗：218W
封装形式：DPAK (TO-252)
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IPDH6N03LAG 具有非常低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。
该器件支持高电流操作，并具备快速开关能力，可满足高频应用需求。
同时，它还拥有良好的热稳定性和耐用性，在极端条件下也能保持可靠运行。
此外，该 MOSFET 的小型化封装设计使其非常适合空间受限的应用环境。
整体而言，这款功率 MOSFET 在效率、性能和可靠性方面表现优异，能够为各种电力电子系统提供卓越的支持。
IPDH6N03LAG 主要用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率级开关。
2. 电机驱动和逆变器控制，例如电动车窗、座椅调节及泵类设备。
3. 各种工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电路径管理。
5. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的消费类电子产品。
IPA60N03L-02,
IRF540N,
FDP5500,
BSC016N06NS3
