时间：2025/8/2 8:00:07
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DMP3085LSS-13 是一款由 Diodes 公司（Diodes Incorporated）生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率电源管理应用设计，具有低导通电阻（RDS(on)）、高功率密度和优异的热性能。DMP3085LSS-13 采用节省空间的 TSOP 封装，适用于需要紧凑设计和高电流能力的便携式电子产品和电源系统。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：-30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-8A
导通电阻 RDS(on)：45mΩ（最大值，VGS = -10V）
导通电阻 RDS(on)：65mΩ（最大值，VGS = -4.5V）
功耗（PD）：2.4W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSOP
DMP3085LSS-13 MOSFET 具备多项优异的电气和热性能，适用于多种高效率电源管理应用。
首先，该器件的低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。其 RDS(on) 分别在 VGS = -10V 和 VGS = -4.5V 下达到 45mΩ 和 65mΩ，这使得它能够在不同驱动条件下都表现出色。
其次，DMP3085LSS-13 支持高达 -8A 的连续漏极电流，能够满足高功率负载的需求。同时，其 -30V 的漏源电压额定值使其适用于多种低压电源管理系统，如电池供电设备和 DC-DC 转换器。
再者，该 MOSFET 的 ±20V 栅源电压额定值提供了良好的抗静电能力和更高的可靠性，适用于需要频繁开关的应用场景。其 TSOP 封装形式不仅节省空间，而且具备良好的热传导性能，有助于提高器件在高负载条件下的稳定性。
此外，DMP3085LSS-13 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应各种严苛环境条件，增强了其在工业级应用中的适用性。由于其高功率密度和小尺寸设计，该器件广泛用于笔记本电脑、平板电脑、移动电源等便携式电子设备中的电源开关和负载管理电路中。
综上所述，DMP3085LSS-13 凭借其低导通电阻、高电流能力和紧凑的封装形式，成为许多高性能电源管理应用的理想选择。
DMP3085LSS-13 主要应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。常见的应用包括便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中的电源开关、负载管理和电池保护电路。
在 DC-DC 转换器中，DMP3085LSS-13 可作为同步整流器使用，以提高转换效率并减少热量产生。此外，它还可用于电源管理模块、电源适配器、LED 照明驱动电路以及各种需要 P 沟道 MOSFET 的高边开关应用。
由于其良好的热性能和紧凑的封装形式，该器件特别适用于空间受限但需要高电流能力的设计。同时，其宽广的工作温度范围也使其适用于工业控制、汽车电子和其他严苛环境下的电源管理任务。
Si4435BDY, FDS4435B, DMP2035UFG-13
