时间：2025/12/28 16:10:53
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KIA7031AF-RTK 是一款由 KEC（Korea Electronics，韩国电子）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压特性，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：100A
最大漏-源电压（VDS）：30V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大 3.1mΩ（在 VGS=10V 时）
功率耗散（PD）：150W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
KIA7031AF-RTK 具备出色的导通性能和热稳定性，其低导通电阻特性有助于降低功率损耗，提高系统效率。
该器件采用 TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的散热性能，适合高电流应用。
此外，该 MOSFET 内部设计优化，具有较高的抗雪崩击穿能力和良好的可靠性，适用于各种恶劣工作环境。
其快速开关特性也使其非常适合用于高频 DC-DC 转换器和同步整流电路。
由于其高栅极驱动兼容性，它可以与多种类型的驱动 IC 配合使用，增强了电路设计的灵活性。
KIA7031AF-RTK 主要应用于服务器电源、通信电源、电池管理系统（BMS）、DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动器、电源管理模块以及各种高电流开关电源设备中。
该器件的高电流能力和低导通电阻使其成为需要高效功率转换的理想选择。
同时，其封装形式适合表面贴装工艺，适用于自动化生产环境，提高了整机的可靠性和制造效率。
SiS3410N-T1-GE3, IRF1010EZSPBF, FDP3410AN, IPP06N03LA06
