时间：2025/8/18 18:20:28
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LE25FW406ATT-TLM-E-C 是一款由LAPIS Semiconductor（现为ROHM子公司）制造的串行闪存存储器芯片，容量为4Mbit（512KB），主要面向需要低功耗和高性能存储解决方案的应用场景。该芯片采用SPI（Serial Peripheral Interface）接口，支持高速数据读写，适用于工业控制、消费电子、车载设备及物联网（IoT）设备等领域。LE25FW406ATT-TLM-E-C采用TSSOP封装形式，具有良好的可靠性和稳定性，适用于需要长期运行和数据存储的应用。
容量：4Mbit
接口类型：SPI
工作电压：2.3V - 3.6V
读取频率：80MHz
编程/擦除电压：内部电荷泵生成
封装类型：TSSOP
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
存储单元类型：非易失性存储器（NVM）
写保护功能：软件和硬件写保护
LE25FW406ATT-TLM-E-C具备多项先进特性，确保其在各种应用中的稳定性和可靠性。首先，该器件采用高性能SPI接口，支持高达80MHz的时钟频率，能够实现快速的数据读取和写入，满足对速度有较高要求的应用场景。其工作电压范围为2.3V至3.6V，适应多种电源环境，增强系统的兼容性。
该芯片支持多种读写模式，包括标准SPI、双输出SPI和四输出SPI模式，提高了数据传输效率。此外，LE25FW406ATT-TLM-E-C内置页编程和块/扇区擦除功能，允许用户对特定存储区域进行高效的数据更新和管理。它还具备软件和硬件写保护机制，可防止意外写入或擦除操作，提高数据安全性。
在可靠性方面，LE25FW406ATT-TLM-E-C具有高耐久性，支持100,000次编程/擦除周期，并具有20年以上的数据保持能力。其TSSOP封装形式占用空间小，适合紧凑型设计，并具备良好的热稳定性和抗干扰能力。该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级和车载环境，确保在极端温度下的稳定运行。
LE25FW406ATT-TLM-E-C还支持多种节能模式，包括待机模式和深度功率-down模式，有助于降低系统功耗，适用于电池供电设备或对能效有要求的应用。其内置状态寄存器提供详细的运行状态信息，便于系统监控和故障诊断。
LE25FW406ATT-TLM-E-C适用于多种嵌入式系统和电子设备，如工业控制器、智能仪表、传感器节点、消费类电子产品（如智能手表、智能音箱）以及车载信息娱乐系统。它还可用于存储固件、配置数据、日志记录及用户数据等应用场景。由于其支持多种SPI模式和高速数据传输，特别适合需要频繁读写和大容量存储的设备。此外，该芯片的低功耗特性使其在物联网（IoT）设备和远程监控系统中表现出色，有助于延长电池寿命并提高系统稳定性。
MX25L4006E, SST25VF040B, W25Q40JV, AT25DF041B
