时间：2025/6/3 23:23:24
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DS1225AB-100IND 是一款由 Maxim Integrated（现为 Analog Devices）生产的双通道 CMOS 静电存储器（SRAM）。该器件采用低功耗设计，适用于需要高速数据访问和高可靠性的应用。其内部集成了两个独立的 SRAM 存储器，每个存储器具有相同的特性。
DS1225AB-100IND 提供了快速的数据存取能力，并且支持静态运行模式，这意味着即使在时钟信号停止的情况下，数据仍能保持完整。此外，该芯片还具备自动省电功能，能够在闲置状态下降低功耗。
类型：SRAM
容量：2K x 8 bits (每通道)
供电电压：4.5V 至 5.5V
工作电流：3mA（典型值）
待机电流：20μA（最大值）
访问时间：150ns（最大值）
封装形式：SOIC-16
工作温度范围：0°C 至 +70°C
DS1225AB-100IND 的主要特性包括以下几点：
1. 高速性能：其访问时间为 150 纳秒，可满足对实时性和速度要求较高的应用场景。
2. 双通道独立操作：两个 SRAM 通道可以分别进行读写操作，提供更高的灵活性和并行处理能力。
3. 静态存储：无需刷新即可长期保存数据，简化了系统设计并降低了功耗。
4. 自动省电模式：当设备处于非活动状态时，会自动切换到低功耗模式以减少能量消耗。
5. 宽电压范围：支持 4.5V 到 5.5V 的工作电压，适应多种电源环境。
6. 小型封装：SOIC-16 封装使其易于集成到空间受限的设计中。
DS1225AB-100IND 广泛应用于需要快速数据存储和处理的场景，具体包括：
1. 工业控制：如 PLC、自动化设备等，用于临时数据缓冲或配置参数存储。
2. 通信设备：路由器、交换机中的缓存存储，以提高数据传输效率。
3. 医疗仪器：心电图机、超声波设备等需要快速响应和稳定性的医疗领域。
4. 消费电子：数码相机、打印机等产品中的临时数据缓存。
5. 嵌入式系统：作为嵌入式处理器的外部存储扩展，提供额外的内存资源。
DS1225Y, DS1225Z, IS61C2516
