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DS1225AB-100IND 发布时间 时间:2025/6/3 23:23:24 查看 阅读:3

DS1225AB-100IND 是一款由 Maxim Integrated(现为 Analog Devices)生产的双通道 CMOS 静电存储器(SRAM)。该器件采用低功耗设计,适用于需要高速数据访问和高可靠性的应用。其内部集成了两个独立的 SRAM 存储器,每个存储器具有相同的特性。
  DS1225AB-100IND 提供了快速的数据存取能力,并且支持静态运行模式,这意味着即使在时钟信号停止的情况下,数据仍能保持完整。此外,该芯片还具备自动省电功能,能够在闲置状态下降低功耗。

参数

类型:SRAM
  容量:2K x 8 bits (每通道)
  供电电压:4.5V 至 5.5V
  工作电流:3mA(典型值)
  待机电流:20μA(最大值)
  访问时间:150ns(最大值)
  封装形式:SOIC-16
  工作温度范围:0°C 至 +70°C

特性

DS1225AB-100IND 的主要特性包括以下几点:
  1. 高速性能:其访问时间为 150 纳秒,可满足对实时性和速度要求较高的应用场景。
  2. 双通道独立操作:两个 SRAM 通道可以分别进行读写操作,提供更高的灵活性和并行处理能力。
  3. 静态存储:无需刷新即可长期保存数据,简化了系统设计并降低了功耗。
  4. 自动省电模式:当设备处于非活动状态时,会自动切换到低功耗模式以减少能量消耗。
  5. 宽电压范围:支持 4.5V 到 5.5V 的工作电压,适应多种电源环境。
  6. 小型封装:SOIC-16 封装使其易于集成到空间受限的设计中。

应用

DS1225AB-100IND 广泛应用于需要快速数据存储和处理的场景,具体包括:
  1. 工业控制:如 PLC、自动化设备等,用于临时数据缓冲或配置参数存储。
  2. 通信设备:路由器、交换机中的缓存存储,以提高数据传输效率。
  3. 医疗仪器:心电图机、超声波设备等需要快速响应和稳定性的医疗领域。
  4. 消费电子:数码相机、打印机等产品中的临时数据缓存。
  5. 嵌入式系统:作为嵌入式处理器的外部存储扩展,提供额外的内存资源。

替代型号

DS1225Y, DS1225Z, IS61C2516

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