FN21X271K500PXG 是一款高性能的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),通常用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低能量损耗并提高系统性能。
FN21X271K500PXG 的封装形式为 PXG,这是一种表面贴装型封装,具备良好的散热性能和机械稳定性,非常适合在紧凑型设计中使用。
最大漏源电压:500V
连续漏极电流:27A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:135nC
开关频率:高达 1MHz
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:PXG
FN21X271K500PXG 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可以有效减少导通状态下的功率损耗。
2. 高耐压能力,支持高达 500V 的漏源电压,适用于高压应用场景。
3. 快速开关特性,栅极电荷较低,适合高频操作。
4. 紧凑型 PXG 封装,节省 PCB 空间,同时提供优良的热管理能力。
5. 支持宽泛的工作温度范围,确保在极端环境下也能稳定运行。
6. 内置保护功能,如过流保护和热关断,提高系统的可靠性。
FN21X271K500PXG 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. 电机驱动电路,例如无刷直流电机 (BLDC) 控制。
3. DC-DC 转换器和升压/降压转换器。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子中的负载开关和电源管理单元。
IRFP260N, FQP27P06, STP27NF06