时间：2025/5/13 17:55:51
阅读：8
BSS84DW-7-F是一款N沟道小信号MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于低功率开关应用，具有较低的导通电阻和快速开关速度。它通常用于便携式电子设备、通信设备和其他需要高效开关性能的应用场景中。
这款MOSFET采用了SOT-23封装形式，这种封装方式使其非常适合空间受限的设计，并且具备良好的散热性能。
最大漏源电压：-50V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：-0.18A
导通电阻：150Ω（典型值）
总功耗：310mW
工作温度范围：-55℃至+150℃
BSS84DW-7-F的主要特点是其小型化设计和高可靠性。该器件拥有以下优点：
1. 极低的输入电容，确保了快速的开关速度，从而减少了开关损耗。
2. 高击穿电压，可承受高达50V的反向电压，增强了电路保护能力。
3. SOT-23封装，节省PCB空间，同时提供优秀的热性能。
4. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子产品的需求。
5. 稳定性高，在各种环境条件下均能保持良好的性能。
BSS84DW-7-F广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源中的续流二极管替代方案。
2. 数据通信设备中的信号切换。
3. 消费类电子产品中的负载开关。
4. 电池供电设备中的电源管理。
5. 各种保护电路，如过压保护、短路保护等。
6. 可编程逻辑控制器（PLC）及其他工业自动化系统中的信号控制元件。
BSS84PW, BSS84
