LBAW56DW1T1G 时间：2025/8/15 20:09:40 阅读：22

LBAW56DW1T1G是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用，具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性。该MOSFET采用先进的沟槽技术，提供更高的功率密度和更低的开关损耗，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等领域。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8.5A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：21mΩ（典型值）
　　封装形式：TSOP
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　最大功率耗散：3.5W
　　栅极电荷（Qg）：18nC（典型值）

特性

LBAW56DW1T1G具有多项优越的电气和热性能，适用于高性能电源系统。其主要特性包括：
　　1. 低导通电阻：LBAW56DW1T1G的典型Rds(on)为21mΩ，能够在高电流下保持较低的导通损耗，提高系统的整体效率。
　　2. 高耐压能力：该器件的漏源击穿电压为60V，适用于中高功率电源系统，如DC-DC转换器、电池充电器等。
　　3. 快速开关性能：LBAW56DW1T1G具备较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），可实现高频开关操作，降低开关损耗，提高系统响应速度。
　　4. 热稳定性良好：该MOSFET采用TSOP封装，具备良好的散热能力，能够在高温环境下稳定工作，适用于高可靠性应用场景。
　　5. 封装小巧：TSOP封装结构紧凑，适合空间受限的设计，如便携式电子设备、嵌入式系统等。
　　6. 宽温度范围：LBAW56DW1T1G支持-55°C至150°C的工作温度范围，适应工业级和汽车级应用需求。

应用

LBAW56DW1T1G广泛应用于多个电力电子领域，包括但不限于：
　　1. DC-DC转换器：适用于降压（Buck）、升压（Boost）以及反相（Flyback）拓扑结构，用于提高电源转换效率。
　　2. 负载开关：在服务器、笔记本电脑、工业控制设备中作为电源管理开关使用，实现对不同负载的快速控制。
　　3. 电池管理系统（BMS）：用于电动工具、无人机、储能系统等，作为充放电控制开关，确保电池安全运行。
　　4. 电机驱动：适用于无刷直流电机（BLDC）驱动器、步进电机控制器等场合，提供高效、稳定的功率输出。
　　5. 电源管理模块：在AC-DC适配器、电源分配单元（PDU）、不间断电源（UPS）等设备中作为主开关器件使用。
　　6. 汽车电子：适用于车载充电器（OBC）、车身控制模块（BCM）、车载信息娱乐系统（IVI）等汽车电源管理场景。