时间：2025/6/12 19:09:22
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SUM40N10-30-GE3 是一种基于硅材料的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率开关应用设计。该器件采用 N 沟道技术，适用于工业和汽车领域的功率转换、电机驱动以及负载开关等场景。
其封装形式通常为行业标准的 TO-247 或类似大功率封装，确保良好的散热性能和电气稳定性。该型号以其低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力而著称，能够满足各种严苛的工作条件。
最大漏源电压：1000V
连续漏极电流：40A
导通电阻：65mΩ
栅极电荷：120nC
开关频率：最高可达 100kHz
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247
SUM40N10-30-GE3 的主要特点是其卓越的电气性能与可靠性：
1. 高耐压能力：支持高达 1000V 的漏源电压，适用于高压应用场景。
2. 超低导通电阻：在额定电流条件下，其导通电阻仅为 65mΩ，显著降低传导损耗。
3. 快速开关特性：通过优化的内部结构设计，减少了开关延迟时间，从而提高了效率并降低了电磁干扰。
4. 强大的热管理：采用大功率封装，结合高效的散热设计，使其能够在高温环境下持续运行。
5. 高可靠性：经过严格的质量测试，确保在恶劣环境下的稳定性和长寿命。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 工业设备中的功率转换器，如不间断电源 (UPS) 和太阳能逆变器。
2. 电动汽车及混合动力汽车的动力系统，包括电机控制器和车载充电器。
3. 大功率 LED 驱动电路，提供高效稳定的电流输出。
4. 各类负载开关和保护电路，用于防止过流或短路。
5. 高压直流输电系统中的关键组件。
SUM40N10-30-GE2
SUM40N10-25-GE3
IRFP460
FDP18N100
