MSC035SMA070B 是一款由 Microchip Technology 生产的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率功率转换应用。这款器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压能力和快速开关性能。MSC035SMA070B 通常用于 DC-DC 转换器、电源管理模块、服务器电源、电信设备和工业控制系统等应用中。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):120A
导通电阻(Rds(on)):最大3.5mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围:-55°C ~ 175°C
封装类型:TO-263(D2PAK)
安装类型:表面贴装
MSC035SMA070B MOSFET 具有多种出色的电气和热性能,适用于高功率密度和高效能的应用场景。
首先,其低导通电阻(Rds(on))仅为3.5mΩ,使得在高电流条件下导通损耗极低,从而提高了系统的整体效率。该器件的最大连续漏极电流可达120A,适合用于高功率应用。
其次,该MOSFET具备高耐压能力,最大漏源电压(Vds)为100V,能够在高压环境下稳定工作。栅源电压范围为±20V,支持广泛的驱动电压设计,确保在不同应用场景下的可靠性。
此外,MSC035SMA070B采用TO-263(D2PAK)封装,具有良好的热管理能力,能够有效散热,确保在高负载条件下依然保持稳定的性能。这种表面贴装封装也便于自动化生产和 PCB 布局优化。
该器件的工作温度范围为-55°C至175°C,具备出色的温度稳定性,可在极端环境条件下可靠运行。这使其非常适合用于工业控制、通信电源和服务器等对可靠性要求较高的系统中。
最后,MSC035SMA070B 的快速开关特性有助于减少开关损耗,提高电源转换效率,从而满足现代高效能电源系统的需求。
MSC035SMA070B MOSFET 主要应用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统中。其典型应用包括:服务器和电信设备的电源模块、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器、工业自动化设备以及高功率负载开关等。该器件的高电流能力和低导通电阻使其成为高性能电源转换系统的理想选择。
SiS160N10T2-GE3, IPPB90N10S4-03, FDP160N10A