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MSC035SMA070B 发布时间 时间:2025/7/25 23:47:04 查看 阅读:5

MSC035SMA070B 是一款由 Microchip Technology 生产的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率功率转换应用。这款器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压能力和快速开关性能。MSC035SMA070B 通常用于 DC-DC 转换器、电源管理模块、服务器电源、电信设备和工业控制系统等应用中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):120A
  导通电阻(Rds(on)):最大3.5mΩ @ Vgs=10V
  工作温度范围:-55°C ~ 175°C
  封装类型:TO-263(D2PAK)
  安装类型:表面贴装

特性

MSC035SMA070B MOSFET 具有多种出色的电气和热性能,适用于高功率密度和高效能的应用场景。
  首先,其低导通电阻(Rds(on))仅为3.5mΩ,使得在高电流条件下导通损耗极低,从而提高了系统的整体效率。该器件的最大连续漏极电流可达120A,适合用于高功率应用。
  其次,该MOSFET具备高耐压能力,最大漏源电压(Vds)为100V,能够在高压环境下稳定工作。栅源电压范围为±20V,支持广泛的驱动电压设计,确保在不同应用场景下的可靠性。
  此外,MSC035SMA070B采用TO-263(D2PAK)封装,具有良好的热管理能力,能够有效散热,确保在高负载条件下依然保持稳定的性能。这种表面贴装封装也便于自动化生产和 PCB 布局优化。
  该器件的工作温度范围为-55°C至175°C,具备出色的温度稳定性,可在极端环境条件下可靠运行。这使其非常适合用于工业控制、通信电源和服务器等对可靠性要求较高的系统中。
  最后,MSC035SMA070B 的快速开关特性有助于减少开关损耗,提高电源转换效率,从而满足现代高效能电源系统的需求。

应用

MSC035SMA070B MOSFET 主要应用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统中。其典型应用包括:服务器和电信设备的电源模块、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器、工业自动化设备以及高功率负载开关等。该器件的高电流能力和低导通电阻使其成为高性能电源转换系统的理想选择。

替代型号

SiS160N10T2-GE3, IPPB90N10S4-03, FDP160N10A

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MSC035SMA070B参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥119.65000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压(Vdss)700 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)77A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)44 毫欧 @ 30A,20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.7V @ 2mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)99 nC @ 20 V
  • Vgs(最大值)+25V,-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2010 pF @ 700 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)283W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247-3
  • 封装/外壳TO-247-3