HMC435MS8G 时间：2025/7/22 19:31:20 阅读：8

HMC435MS8G 是 Analog Devices（亚德诺半导体）旗下 Hittite Microwave Corporation 生产的一款高增益、低噪声、宽频带的 GaAs MMIC（砷化镓单片微波集成电路）低噪声放大器（LNA）。该器件设计用于工作在 0.1 GHz 到 6 GHz 的频率范围内，适用于多种无线通信系统、测试设备和雷达应用。该放大器具有高增益、低噪声系数、良好的线性度以及高输入输出回波损耗，适合用于射频前端信号放大。

参数

频率范围：0.1 GHz - 6 GHz
　　增益：21 dB @ 6 GHz
　　噪声系数：1.5 dB @ 6 GHz
　　输出IP3：+25 dBm @ 6 GHz
　　工作电压：5V
　　工作电流：75 mA
　　封装形式：8引脚 MS8（TSSOP）
　　输入/输出匹配：50Ω

特性

HMC435MS8G 是一款高性能的低噪声放大器，具有优异的宽频带性能，能够在从 0.1 GHz 到 6 GHz 的整个频段内保持稳定的增益和低噪声特性。其增益在 6 GHz 下达到 21 dB，并且噪声系数仅为 1.5 dB，使得该器件非常适合用于高灵敏度接收机前端，以提高系统信噪比。
　　此外，该放大器的输出三阶交调截距（IP3）为 +25 dBm，表明其具备良好的线性度，能够处理较高的输入信号而不会产生明显的失真。这使得 HMC435MS8G 不仅适用于低噪声前置放大，也可用于中频或射频信号链中的驱动放大器。
　　该器件采用 5V 单电源供电，工作电流仅为 75 mA，功耗较低，适合电池供电设备和便携式系统。输入和输出端口均采用 50Ω 阻抗匹配设计，减少了外部匹配元件的需求，简化了电路设计。
　　HMC435MS8G 采用 8 引脚 MS8（TSSOP）封装，具有良好的热稳定性和机械可靠性，适用于工业级温度范围，确保在各种环境条件下稳定运行。

应用

HMC435MS8G 广泛应用于各种射频和微波系统中，包括无线基站、通信测试设备、卫星通信、雷达系统、宽带接收机以及便携式无线电设备。由于其宽频带特性和高增益低噪声性能，该器件特别适合用于多频段或多标准通信系统的射频前端放大。此外，它也可用于工业和医疗成像设备中的射频信号放大，以及作为通用的低噪声增益模块使用。