时间：2025/8/20 1:43:20
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NB676AGQ-Z是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）推出的高性能、双通道、MOSFET驱动器集成电路，广泛用于电源转换和电机控制等应用中。该器件专为高效驱动高侧和低侧N沟道MOSFET而设计，具有较强的驱动能力和出色的抗干扰性能。
供电电压范围：4.5V至20V
输出驱动电流：高端和低端各为0.5A（峰值）
工作温度范围：-40°C至+125°C
封装类型：TSSOP
输入逻辑类型：兼容CMOS/TTL
导通延迟时间：典型值为9ns
关断延迟时间：典型值为7ns
死区时间可调：通过外部电阻进行调节
驱动电压范围：支持5V至20V的栅极驱动电压
NB676AGQ-Z采用了先进的CMOS工艺制造，具有高速开关能力和低功耗特性。其内部集成的自举电路可有效支持高侧MOSFET的驱动，减少了外围元件的数量，提高了系统集成度和可靠性。该器件还内置欠压锁定保护（UVLO），当供电电压低于设定阈值时，可自动关闭输出以防止MOSFET误动作。此外，NB676AGQ-Z支持独立的高端和低端驱动控制，允许用户灵活地配置死区时间以避免上下桥臂直通现象。其高抗噪能力和较短的传播延迟时间使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动和半桥/全桥拓扑结构中的功率MOSFET驱动。
该芯片的封装形式为TSSOP，体积小巧，适合高密度PCB布局。其输入信号兼容CMOS和TTL电平，简化了与控制器（如MCU或PWM控制器）的接口设计。同时，该器件具备较强的抗dv/dt能力，能够在高压、高频环境下稳定工作。
NB676AGQ-Z适用于多种功率电子系统，包括但不限于：同步整流型DC-DC转换器、电机驱动电路、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动电源、电池管理系统（BMS）中的功率开关控制、工业自动化设备中的功率模块驱动等。由于其高速和高可靠性特性，该器件也常用于汽车电子、消费类电子产品以及工业控制领域的电源管理系统中。
NCP81075, IRS2186, TC4420
