时间：2025/5/22 21:58:21
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GA0805A560GXEBP31G 是一款由 Geehy（杰高半导体）推出的汽车级 MOSFET 芯片。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于车载电子系统中的高效功率转换和开关应用。
这款 MOSFET 主要用于汽车环境下的负载开关、DC-DC 转换器、电机驱动以及电池管理等场景。其封装形式为 DPAK (TO-252)，能够提供较高的电流承载能力和良好的散热表现。
型号：GA0805A560GXEBP31G
类型：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
VDS（漏源电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：4.5mΩ（典型值，在 VGS=10V 条件下）
ID（持续漏极电流）：56A
Qg（栅极电荷）：38nC
VGS(th)（栅极阈值电压）：2.5V 至 4.5V
fT（截止频率）：2.1MHz
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装：DPAK (TO-252)
GA0805A560GXEBP31G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低功耗并提高系统效率。
2. 高电流处理能力（ID=56A），满足大功率应用需求。
3. 具备快速开关速度，适合高频工作场景。
4. 优秀的热性能设计，确保在极端温度条件下的可靠性。
5. 符合 AEC-Q101 标准，专为汽车级应用优化。
6. 提供卓越的静电防护（ESD）能力，增强产品耐用性。
7. 小型化封装，节省电路板空间同时保持高性能。
8. 支持宽范围的工作电压和温度区间，适应多种复杂工况。
GA0805A560GXEBP31G 广泛应用于以下领域：
1. 汽车电子系统中的 DC-DC 转换器和逆变器。
2. 车载充电器及电池管理系统（BMS）。
3. 电动车辆的电机驱动控制。
4. 负载开关和保护电路。
5. LED 驱动器和照明模块。
6. 工业电源和适配器。
7. 任何需要低损耗、高可靠性的功率开关场合。
GA0805A560GXEHP31G
IRFB4110TRPBF
STP55NF06L
FDP5550
AON7204
