LBAS21T1G 时间：2025/8/13 15:21:26 阅读：19

LBAS21T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于通用型 NPN 晶体管。这款晶体管主要用于通用放大和开关应用，适用于消费类电子、工业控制和汽车电子等多个领域。LBAS21T1G 采用 SOT-23 封装，具有良好的稳定性和可靠性。

参数

类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　电流增益（hFE）：110 - 800（根据档位不同）
　　频率响应（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

LBAS21T1G 是一款高性能的 NPN 晶体管，具有优异的电气特性和稳定性。其主要特性包括高电流增益（hFE）范围，从110到800不等，适合多种放大和开关电路应用。该晶体管的频率响应高达100 MHz，使其在高频电路中也能表现出色。此外，LBAS21T1G 的最大集电极电流为100 mA，最大集电极-发射极电压为30 V，能够在较宽的电压和电流范围内稳定工作。
　　该器件的封装形式为 SOT-23，是一种小型化表面贴装封装，适用于高密度 PCB 设计。LBAS21T1G 的最大功耗为300 mW，能够在高温环境下正常工作，具有良好的热稳定性和可靠性。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于各种恶劣环境条件下的应用。
　　LBAS21T1G 还具有较低的饱和压降（Vce_sat），有助于减少功耗和发热，提高系统的能效。此外，该晶体管的开关速度较快，适合用于数字开关电路和脉冲电路。

应用

LBAS21T1G 主要用于通用放大和开关电路。常见的应用包括音频放大器、信号放大器、数字逻辑电路、驱动继电器和 LED 显示器等。由于其高频响应特性，LBAS21T1G 也适用于射频（RF）和中频（IF）放大电路。在工业控制和消费类电子产品中，该晶体管可用于驱动负载如马达、LED 和小型继电器。此外，LBAS21T1G 还适用于汽车电子系统中的传感器信号处理和电源管理电路。