IS61LV10248-10T 时间：2025/9/1 19:08:52 阅读：7

IS61LV10248-10T是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件具有1Mbit的存储容量，组织形式为128K x 8位。IS61LV10248-10T采用高速CMOS技术制造，具有低功耗和高性能的特点，适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景。该芯片采用48引脚TSOP封装，适合在工业级温度范围内（-40°C至+85°C）运行。

参数

容量：1Mbit
　　组织结构：128K x 8位
　　访问时间：10ns
　　电源电压：3.3V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：48引脚 TSOP
　　封装尺寸：标准TSOP
　　最大功耗：约500mW（典型值）
　　读电流（最大）：120mA

特性

IS61LV10248-10T具备多项高性能特性，使其在多种应用中表现出色。首先，该芯片的访问时间为10ns，支持快速的数据读取和写入操作，适用于高速缓存和实时系统。其低功耗设计在待机模式下仅消耗极低电流，有助于延长设备的电池寿命。
　　此外，该SRAM芯片采用了先进的CMOS技术，提供了良好的抗干扰能力和稳定性，确保数据在复杂环境中依然可靠。芯片内部集成了地址缓冲器和数据输入/输出缓冲器，简化了外围电路的设计。
　　IS61LV10248-10T还具备自动低功耗模式（待机模式），当系统不进行数据访问时，芯片可自动进入低功耗状态，进一步降低功耗。同时，该芯片支持异步操作，无需时钟同步控制，简化了与微处理器或控制器的接口设计。
　　在封装方面，采用48引脚TSOP封装，具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适用于紧凑型电路板设计。此外，该芯片符合RoHS环保标准，适用于各种工业、通信和消费类电子设备。

应用

IS61LV10248-10T广泛应用于需要高速存储和低功耗的电子设备中。典型应用包括嵌入式系统的高速缓存、网络设备中的数据缓冲、工业控制系统的临时数据存储、通信设备中的协议处理缓存以及消费类电子产品中的临时数据存储模块。
　　此外，该芯片也适用于需要快速响应的实时系统，如视频处理设备、图像处理模块、打印机缓冲存储器以及智能卡读写器等应用场景。由于其高可靠性和稳定性，IS61LV10248-10T也常用于车载电子系统和医疗设备中的数据存储和缓存单元。