时间：2025/8/28 11:24:24
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200WN3M 是一款高压、高电流的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率开关应用设计。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的工业和电源管理系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：200A
最大漏源电压（VDS）：300V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大值为2.8mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至+175°C
200WN3M MOSFET采用了先进的沟槽结构技术，有效降低了导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。其低Rds(on)特性使其在高电流负载下仍能保持较低的功耗，从而提高了系统的整体能效。
此外，该器件具有优异的热稳定性和耐久性，能够在高温环境下稳定工作。其封装设计优化了热管理，确保了长时间高负载运行的可靠性。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态电压冲击下保持稳定工作，从而提高系统的安全性和稳定性。
200WN3M的栅极驱动特性设计良好，适用于高速开关应用，降低了开关损耗，并支持高频工作，适用于高性能电源转换系统。
200WN3M广泛应用于高功率电源系统，如DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、UPS不间断电源、工业自动化设备以及电动汽车充电系统等。其高电流承载能力和高压耐受性使其在需要高效能和高可靠性的场合表现出色。
在电机控制和驱动应用中，该MOSFET能够提供稳定的高电流输出，同时保持较低的功率损耗，提升整体系统效率。
此外，200WN3M还可用于高功率LED驱动、太阳能逆变器以及储能系统中的功率控制模块。
IXFH200N30P, FDP200N30TM
