工作电压：600V
　　最大连续电流：10A
　　内部MOSFET类型：N沟道功率MOSFET
　　封装类型：PG-DSO-16
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　驱动器类型：高压半桥驱动器
　　保护功能：过流保护、过热保护、欠压锁定
　　输入信号电平：3.3V/5V兼容
　　封装尺寸：10.4mm x 10.4mm x 2.6mm

INN2104KTL具备高集成度和紧凑的设计，模块内部集成了两个功率MOSFET和一个专用的半桥驱动IC，大大简化了外部电路设计并提高了系统的可靠性。该模块的驱动IC具备先进的保护功能，包括过流保护（OCP）、短路保护（SCP）、过热保护（OTP）和欠压锁定（UVLO），有效防止因异常工况导致的器件损坏。
　　该模块还具有低导通电阻和快速开关特性，有助于提高整体系统的能效并减少热量产生。其采用的PG-DSO-16封装具备优良的热管理和电气隔离性能，适用于高电压和高频率的开关应用。INN2104KTL还支持3.3V和5V逻辑电平输入，兼容多种微控制器和数字信号处理器（DSP）接口标准，便于集成到不同的控制系统中。
　　此外，该模块的设计符合RoHS环保标准，适用于需要无铅工艺的工业设备和消费电子产品。

INN2104KTL广泛应用于各类需要高效功率控制的系统中，包括电动工具、无刷直流电机（BLDC）控制器、工业自动化设备、家用电器（如洗衣机、空调压缩机）以及电源管理系统。其高可靠性和紧凑设计也使其成为电动汽车（EV）充电设备和储能系统中理想的功率模块选择。

IPB111N10N3 G1KMA1 | IRS2104S | IR2104 | NCP5104B