类型：肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：20V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　正向压降（VF）：典型值0.36V（在1A时）
　　最大正向压降（VF(max)）：0.48V（在1A, 25°C）
　　反向漏电流（IR）：最大100μA（在20V, 25°C）
　　峰值脉冲电流（IFSM）：30A（8.3ms半正弦波）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-123FL
　　极性：单芯片阳极共接（双阳极配置）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

79D12AL-TN3-R的核心特性之一是其低正向导通压降，这得益于其肖特基势垒结构的设计。与传统的PN结二极管相比，肖特基二极管利用金属-半导体结形成势垒，从而显著降低正向压降，通常在1A电流下仅为0.36V左右，最高不超过0.48V。这种低VF特性极大地减少了导通状态下的功率损耗，提高了电源转换效率，特别适用于电池供电设备和节能型电源系统。此外，由于没有少数载流子存储效应，该器件具备极快的开关速度，反向恢复时间几乎可以忽略不计，有效避免了开关过程中的能量浪费和电磁干扰问题。
　　另一个关键优势是其紧凑的SOD-123FL封装。该封装尺寸仅为约2.0mm x 1.3mm x 1.1mm，比标准SOD-123更薄且引脚间距优化，有助于实现更高密度的PCB布局，满足现代电子产品对小型化和轻薄化的需求。同时，该封装具有良好的散热性能，通过PCB焊盘可有效传导热量，确保在较高负载条件下仍能稳定运行。器件还具备高达30A的峰值脉冲电流承受能力，使其在瞬态过流或浪涌情况下仍能保持可靠工作，增强了系统的鲁棒性。
　　从可靠性角度看，79D12AL-TN3-R经过严格的质量控制流程，具备出色的温度稳定性，可在-55°C至+125°C的结温范围内正常工作，适应各种严苛环境。其反向漏电流在常温下控制在100μA以内，虽然随温度升高会有所增加，但在大多数应用场景中仍处于可接受范围。此外，产品符合AEC-Q101等可靠性标准（视具体批次而定），适用于汽车电子等高要求领域。整体而言，该器件在效率、尺寸、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是中小功率电源设计中的理想选择。

79D12AL-TN3-R广泛应用于需要高效能、小体积二极管的各种电子电路中。在直流-直流（DC-DC）转换器中，它常被用作同步整流的替代方案或作为续流二极管，特别是在降压（Buck）、升压（Boost）和降压-升压（Buck-Boost）拓扑中，能够有效减少能量损耗，提高整体转换效率。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备中，该二极管用于电池充电管理电路和电源路径切换，帮助延长电池续航时间。
　　在电源适配器和AC-DC电源模块中，79D12AL-TN3-R可用于次级侧整流或输出滤波电路，尤其适用于低电压大电流输出的应用场景。其快速响应特性也使其适合用于信号箝位和静电放电（ESD）保护电路，防止电压尖峰损坏敏感元件。此外，在LED驱动电源中，该器件可用于防止反向电压冲击，提升系统稳定性。
　　工业控制和自动化设备中，该二极管常用于继电器驱动电路中的反电动势抑制（flyback diode），保护开关晶体管免受感应电压损坏。在计算机主板、显卡和内存模块的电源管理单元中，它也承担着多路供电的隔离与保护任务。由于其符合绿色环保标准并支持回流焊工艺，非常适合自动化SMT生产线的大规模制造，进一步提升了其在各类电子产品中的普及率。

B1100A-13-F
　　MBR140-T1-F
　　SS12-T1-F