输出电压：1.0V至3.6V（可调）
　　输入电压范围：1.5V至5.5V
　　输出电流：最大800mA
　　静态电流：约60μA
　　电压差：典型值为120mV（在满载条件下）
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装形式：DFN-6

LB8110M-TE-B具有多项优异特性，首先其低压差特性使其在输入和输出电压接近时仍能保持稳定工作，从而提高了系统的能效。其次，该LDO的输出电压可通过外部电阻进行调节，提供灵活的设计选择。器件内置过流保护和过热保护功能，确保在异常工作条件下仍能保持安全运行。此外，LB8110M-TE-B采用了先进的CMOS工艺制造，具有低噪声和高电源抑制比（PSRR），使其非常适合用于对噪声敏感的模拟电路和射频应用。
　　其快速瞬态响应能力可以有效应对负载突变带来的电压波动，从而保持系统稳定性。同时，该器件的静态电流较低，有助于延长电池供电设备的续航时间。DFN-6封装形式不仅节省空间，还具有良好的热性能，适用于高密度PCB布局。

LB8110M-TE-B主要应用于需要高效、稳定电源调节的电子设备中。例如，在智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中，作为主处理器或传感器的电源调节器。在无线通信模块中，可用于为射频前端或基带处理单元提供低噪声电源，以提高信号质量。此外，该器件也适用于音频放大器、数据转换器（ADC/DAC）、精密测量仪器等对电源质量要求较高的模拟电路。由于其宽输入电压范围和高输出电流能力，LB8110M-TE-B还可用于工业控制系统、电源管理单元（PMU）以及各种低功耗嵌入式系统。

NCP1117M-1.0, XC6206P102MR, LM1117-1.0