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SKFT32/04CT 发布时间 时间:2025/8/23 12:20:37 查看 阅读:10

SKFT32/04CT 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率场效应晶体管(MOSFET),适用于高效率电源转换系统和功率管理应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电池管理系统和工业自动化设备等场景。该封装形式(CT)便于散热,提升了器件在高负载条件下的可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):32V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  最大连续漏极电流(ID):4A
  导通电阻(RDS(on)):32mΩ @ VGS = 10V
  功率耗散(PD):1.4W
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装类型:TO-220AB(CT)
  栅极电荷(Qg):13nC

特性

SKFT32/04CT 具备一系列优异的电气和热性能特性。首先,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了电源系统的整体效率。在高电流应用中,这种低电阻特性尤为重要,能够有效减少发热,延长器件使用寿命。
  其次,该 MOSFET 的最大漏源电压为 32V,适用于中低电压功率转换系统,如电源适配器、DC-DC 转换器和负载开关电路。其栅源电压范围为 ±20V,允许在较宽的控制电压范围内稳定工作。
  此外,SKFT32/04CT 采用 TO-220AB 封装,具有良好的散热性能,适合高功率密度设计。其封装结构提供了足够的机械强度和热稳定性,适用于工业级应用环境。
  该器件还具备快速开关能力,栅极电荷(Qg)仅为 13nC,有助于降低开关损耗并提高系统响应速度。在高频开关应用中,这种特性可以提升整体能效。
  最后,SKFT32/04CT 在极端温度条件下(-55°C 至 +175°C)仍能保持稳定性能,适用于高温或低温环境下的电源管理应用。

应用

SKFT32/04CT 广泛应用于多种电源管理和功率控制场景。例如,在工业电源系统中,该 MOSFET 可用于构建高效率的 DC-DC 转换器,将输入电压转换为稳定的输出电压,适用于自动化设备、PLC 控制器和工业传感器等。
  在消费类电子产品中,该器件常用于电源适配器、充电器和便携式设备的电源管理模块。其低导通电阻和高效率特性有助于延长电池寿命并提升设备性能。
  在电机控制和驱动电路中,SKFT32/04CT 可用于 H 桥驱动或 PWM 控制电路,适用于电动工具、风扇控制和小型机器人系统。
  此外,该 MOSFET 还适用于电池管理系统(BMS)中的负载开关和保护电路,确保电池在充放电过程中安全运行。
  在通信设备中,该器件可用于电源模块和功率分配系统,提供稳定的电压转换和负载调节功能。

替代型号

STP4NK60Z, FDPF4N60, IRFZ44N, IRLZ44N

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