GMC04CG330J100NT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率晶体管,属于高效能、高频开关应用的电子元器件。该型号专为高功率密度和高效率设计而优化,广泛应用于电源转换器、DC-DC 转换器、无线充电设备以及其他需要高频切换的应用场景。
这款 GaN 晶体管采用增强型场效应晶体管(e-mode FET)结构,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,从而能够显著提高系统的整体效率并减少热量产生。
类型:功率晶体管
材料:氮化镓(GaN)
工作电压:650V
导通电阻:33mΩ
封装形式:TO-247
最大电流:30A
栅极电荷:6nC
反向恢复时间:无(因 GaN 结构无反向恢复特性)
GMC04CG330J100NT 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(33mΩ),有助于降低功耗。
2. 高频开关能力,适合高频应用场景,如无线充电和电源适配器。
3. 无反向恢复损耗,进一步提升系统效率。
4. 小型封装设计(TO-247),便于集成到紧凑型电路中。
5. 热性能优异,散热效率高,确保长期稳定运行。
6. 支持高达 650V 的耐压能力,适用于多种高压应用环境。
该芯片适用于以下典型应用:
1. 高效 DC-DC 转换器。
2. 开关电源(SMPS)。
3. 无线充电模块。
4. 太阳能逆变器中的功率转换。
5. 快速充电器设计。
6. 工业电机驱动及控制。
GMC04CG330J100NT 的高频特性和高效能量转换能力使其成为现代电力电子设备的理想选择。
GMC04CG330J120NT, GMC04CG330J110NT