时间：2025/6/20 14:16:18
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SI3459DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术，具有低导通电阻和高效率的特点，适合用于各种开关应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等场景。
其封装形式为 Thermally Enhanced PowerPAK? 1212-8，具有良好的散热性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：14A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷：17nC
总电容：205pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI3459DV-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，可显著降低功率损耗并提升效率。
2. 高效的热管理设计，确保在高功率应用中保持稳定运行。
3. 快速开关能力，适用于高频操作环境。
4. 紧凑的封装尺寸，节省 PCB 空间。
5. 支持 AEC-Q101 认证，满足汽车级应用需求。
6. 宽工作温度范围，适应恶劣环境下的使用。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
2. 工业设备中的电机驱动和电源管理。
3. 消费类电子产品中的 DC-DC 转换器和电池管理系统。
4. 通信设备中的电源模块和信号调节电路。
5. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换部分。
SI3458DP-T1-E3, SI3460DP-T1-E3
