MRF275L 时间：2025/9/4 2:10:10 阅读：32

MRF275L 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的高功率射频（RF）晶体管，属于 LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术家族。该器件专为高频、高功率应用而设计，广泛用于广播、工业加热、射频测试设备以及无线通信基础设施中。MRF275L 工作在 VHF/UHF 频段，具有出色的热稳定性和高可靠性，能够在高电压和高电流条件下运行，适合用于需要高线性度和高效率的功率放大器设计。

参数

类型: 射频功率晶体管
　　技术: LDMOS
　　封装类型: TO-247
　　最大工作电压: 50V
　　最大连续漏极电流: 3.0A
　　最大输出功率: 275W
　　频率范围: 10MHz - 1GHz
　　增益: 26dB（典型值）
　　效率: 65%（典型值）
　　输入驻波比（VSWR）: 3:1 最大
　　热阻（Rth）: 1.0°C/W（最大）

特性

MRF275L 的设计基于先进的 LDMOS 技术，这使其能够在高电压下工作，同时保持高效率和良好的线性性能。该器件的封装采用 TO-247 形式，具有良好的散热性能，适用于连续波（CW）或脉冲操作模式。其高输出功率能力使其成为广播发射机、射频加热系统、医疗设备和工业测试设备的理想选择。
　　该晶体管在工作频率范围内表现出稳定的性能，具备良好的抗失真能力，特别适合用于要求高保真的通信系统。此外，MRF275L 具有高输入阻抗，降低了对外部匹配电路的要求，从而简化了电路设计。其高热稳定性和低热阻特性确保了在长时间高功率运行下仍能保持良好的可靠性。

应用

MRF275L 主要应用于广播发射机（如 FM、电视广播）、射频测试设备、工业射频加热系统、医疗射频治疗设备、无线通信基础设施以及高功率射频放大器模块。该器件适用于需要高功率、高效率和高稳定性的各种射频功率放大应用。在广播和通信领域，MRF275L 常用于设计高功率发射机的末级放大器，能够提供出色的线性度和高输出功率，满足现代通信系统对信号质量和传输效率的高要求。