FQD70N06是一款由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)制造的高性能N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换领域。这款MOSFET采用先进的平面技术,优化了导通电阻(Rds(on))和开关性能,以满足高效率和低功耗的需求。FQD70N06的封装形式通常为TO-252(也称为DPAK),适用于表面贴装技术,便于在紧凑的PCB设计中使用。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):70A
导通电阻(Rds(on)):最大值为0.017Ω(当Vgs=10V时)
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装形式:TO-252(DPAK)
FQD70N06具有极低的导通电阻,确保在高电流应用中减少功率损耗和热量产生。其低Rds(on)特性使其在DC-DC转换器、同步整流器、电机控制和负载开关等应用中表现出色。此外,该器件具有优异的热稳定性和高可靠性,能够在高温环境下稳定工作。
FQD70N06的栅极驱动电压范围较宽,支持4.5V至20V之间的驱动电压,使其适用于多种驱动电路设计。该MOSFET还具备快速开关能力,减少了开关损耗,提高了整体系统效率。
该器件的设计采用了先进的沟槽式MOSFET技术,进一步优化了性能。其TO-252封装形式不仅提供了良好的散热性能,还支持表面贴装工艺,便于在现代电子设备中进行高效组装。
FQD70N06常用于高性能电源管理应用,如DC-DC转换器、同步整流器、电池充电器、电机驱动器和负载开关。此外,它也适用于工业控制系统、汽车电子、电源适配器以及高电流负载管理电路。由于其优异的导通性能和热稳定性,FQD70N06在需要高可靠性和高效率的电力电子系统中得到了广泛应用。
FDP70N06, FQPF70N06