时间：2025/5/12 12:12:31
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5M80ZT100C5N 是一款高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、低损耗的开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于多种电力电子转换场景。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器等对功率密度要求较高的领域。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：80A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：25nC
开关速度：超快
封装形式：TO-247
5M80ZT100C5N 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）：该器件在典型工作条件下具有仅 3.5mΩ 的导通电阻，从而显著降低导通损耗。
2. 高效开关性能：其快速的开关速度和较小的栅极电荷（Qg=25nC）使其适合高频开关应用。
3. 热稳定性强：由于采用了先进的封装技术，该器件具备良好的散热性能，能够承受较高功率密度的工作条件。
4. 可靠性高：经过严格的质量控制和测试流程，确保在各种恶劣环境下的稳定运行。
5. 宽工作温度范围：支持从 -55°C 到 +175°C 的结温范围，满足工业和汽车级应用需求。
5M80ZT100C5N 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关器件，用于 AC-DC 和 DC-DC 转换。
2. 电机驱动：用于驱动直流无刷电机（BLDC）、步进电机等。
3. 逆变器：在光伏逆变器、UPS 不间断电源等设备中作为功率开关。
4. 工业自动化：用作负载切换或保护电路中的关键元件。
5. 汽车电子：如电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）等。
5M80ZT100C3N, IRF840, STP80NF10
