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PZU4.7BA,115 发布时间 时间:2025/9/14 6:53:05 查看 阅读:10

PZU4.7BA,115 是由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的一款齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和电路保护应用。该器件的标称齐纳电压为 4.7V,适用于需要稳定参考电压的电子电路中。该型号采用 SOD123 封装,具有体积小、响应速度快和稳定性高等特点,非常适合在便携式设备和嵌入式系统中使用。

参数

类型:齐纳二极管
  齐纳电压:4.7V
  最大耗散功率:300mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOD123
  最大反向电流:100nA(@ 1V)
  测试电流:10mA

特性

PZU4.7BA,115 是一款性能稳定的齐纳二极管,其主要特性包括精确的电压调节能力、低动态阻抗和快速响应时间,能够有效维持电路中的稳定电压。该器件的齐纳电压公差较小,确保了在不同工作条件下的电压精度,适用于对电压稳定性要求较高的模拟和数字电路。此外,该齐纳二极管的 SOD123 封装形式具备良好的热稳定性和机械强度,适合在空间受限的 PCB 设计中使用。
  其最大耗散功率为 300mW,能够在中等功率条件下保持良好的工作性能。在不同温度条件下,该器件的电压漂移控制在合理范围内,保证了长期工作的稳定性。由于其低反向漏电流(最大 100nA),在待机或低功耗状态下对系统功耗影响极小,适合用于电池供电设备。此外,PZU4.7BA,115 在设计上具有较高的可靠性和耐用性,广泛用于过压保护、稳压电源、参考电压源等应用场合。

应用

PZU4.7BA,115 常用于需要稳定电压参考或电压调节的电子电路中,典型应用包括电源管理模块、电压参考源、电池充电电路、微控制器系统、传感器接口电路以及通信设备中的信号调节电路。此外,该器件也适用于各类工业控制系统、消费类电子产品和汽车电子系统中的电压保护与调节场景。

替代型号

BZX84-C4V7, LMZ4-4.7A, MMSZ4684T1G

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PZU4.7BA,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)4.7V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.1V @ 100mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电2µA @ 1V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大320mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)80 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-76,SOD-323
  • 供应商设备封装SOD-323
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 其它名称934062608115