时间：2025/5/23 21:23:12
阅读：2
STGF14NC60KD是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-220封装，适用于需要高效功率开关的应用场景，例如DC-DC转换器、开关电源、电机驱动以及负载切换等。它具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够有效降低功耗并提高系统效率。
这款MOSFET的最大耐压为600V，使其能够在高压环境下稳定运行，同时其栅极驱动电压范围较宽，便于与不同的控制电路兼容。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：14A
导通电阻（典型值，Vgs=10V）：0.18Ω
栅极电荷（Qg）：39nC
输入电容（Ciss）：2570pF
输出电容（Coss）：103pF
总功率耗散（Tc=25°C）：180W
工作结温范围：-55°C至+175°C
STGF14NC60KD具备以下显著特性：
1. 高耐压能力（600V），适合高压应用环境。
2. 较低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提升效率。
3. 快速开关性能，得益于优化的栅极电荷设计，从而降低开关损耗。
4. 宽范围的栅极驱动电压兼容性，简化了驱动电路设计。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
6. 采用经典的TO-220封装，易于安装和散热管理。
该MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器的核心开关器件。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 各类负载切换及保护电路。
5. 太阳能逆变器及其他可再生能源系统中的功率管理模块。
6. 工业自动化设备中的高压驱动部分。
IRFP250N, STP14NM60K, FDP10U60B
