LESD5Z12T1G 时间：2025/5/28 8:47:25 阅读：17

LESD5Z12T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的瞬态电压抑制器（TVS），专门用于保护电子电路免受瞬态过电压的损害。这类器件通常被用作电路中的二级保护元件，可有效抑制由于雷击、静电放电（ESD）、开关噪声或感性负载引起的电压尖峰。
　　该器件采用 SMA 封装形式，具有单向钳位特性，并且能够承受较高的峰值脉冲电流。它非常适合在汽车、工业和消费类应用中提供稳健的过电压保护。

参数

最大反向工作电压：12V
　　最大反向漏电流：1μA
　　峰值脉冲电流：39.6A
　　箝位电压：20.8V
　　结电容：45pF
　　响应时间：1ps
　　功率耗散：400W
　　封装类型：SMA

特性

LESD5Z12T1G 具有以下主要特性：
　　1. 单向 TVS 设计，适用于直流电路保护。
　　2. 极低的动态电阻，确保在发生浪涌时能够迅速将电压箝位到安全水平。
　　3. 响应时间极短（仅 1 皮秒），可以及时应对快速瞬态事件。
　　4. 高峰值脉冲电流能力（39.6A），使其能够在恶劣环境中可靠运行。
　　5. 小巧的 SMA 封装，便于 PCB 布局和安装。
　　6. 工作温度范围宽广，从 -55°C 到 +150°C，适合各种环境条件下的应用。
　　7. 符合 AEC-Q101 标准，确保其在汽车应用中的可靠性。

应用

LESD5Z12T1G 广泛应用于以下领域：
　　1. 汽车电子系统，如发动机控制单元（ECU）、传感器接口、数据通信线路等。
　　2. 工业设备中的信号线和电源线保护。
　　3. 消费类电子产品中的 USB 端口、音频/视频接口保护。
　　4. 通信设备中的天线端口保护。
　　5. 医疗设备中的关键信号链路保护。
　　6. 任何需要防止 ESD 和其他瞬态过电压的场景。