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LESD5Z12T1G 发布时间 时间:2025/5/28 8:47:25 查看 阅读:10

LESD5Z12T1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的瞬态电压抑制器(TVS),专门用于保护电子电路免受瞬态过电压的损害。这类器件通常被用作电路中的二级保护元件,可有效抑制由于雷击、静电放电(ESD)、开关噪声或感性负载引起的电压尖峰。
  该器件采用 SMA 封装形式,具有单向钳位特性,并且能够承受较高的峰值脉冲电流。它非常适合在汽车、工业和消费类应用中提供稳健的过电压保护。

参数

最大反向工作电压:12V
  最大反向漏电流:1μA
  峰值脉冲电流:39.6A
  箝位电压:20.8V
  结电容:45pF
  响应时间:1ps
  功率耗散:400W
  封装类型:SMA

特性

LESD5Z12T1G 具有以下主要特性:
  1. 单向 TVS 设计,适用于直流电路保护。
  2. 极低的动态电阻,确保在发生浪涌时能够迅速将电压箝位到安全水平。
  3. 响应时间极短(仅 1 皮秒),可以及时应对快速瞬态事件。
  4. 高峰值脉冲电流能力(39.6A),使其能够在恶劣环境中可靠运行。
  5. 小巧的 SMA 封装,便于 PCB 布局和安装。
  6. 工作温度范围宽广,从 -55°C 到 +150°C,适合各种环境条件下的应用。
  7. 符合 AEC-Q101 标准,确保其在汽车应用中的可靠性。

应用

LESD5Z12T1G 广泛应用于以下领域:
  1. 汽车电子系统,如发动机控制单元(ECU)、传感器接口、数据通信线路等。
  2. 工业设备中的信号线和电源线保护。
  3. 消费类电子产品中的 USB 端口、音频/视频接口保护。
  4. 通信设备中的天线端口保护。
  5. 医疗设备中的关键信号链路保护。
  6. 任何需要防止 ESD 和其他瞬态过电压的场景。

替代型号

P6KE12CA, SMBJ12A, SM6T12AML

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