类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：12A
　　最大漏-源电压（VDS）：30V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：12mΩ @ VGS = 10V
　　导通电阻（RDS(on)）：16mΩ @ VGS = 4.5V
　　功率耗散：3.2W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8

GP712KXBG具备多项优异特性，适用于高性能电源管理系统。其核心特性之一是低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。在VGS为10V时，RDS(on)仅为12mΩ，在VGS为4.5V时也保持在16mΩ的较低水平，这使得该器件在低电压驱动条件下也能高效运行。
　　此外，该MOSFET采用先进的沟槽式结构，提高了电流承载能力，并在高电流负载下保持良好的热稳定性。SOP-8封装设计不仅减小了PCB空间占用，还通过优化引脚布局降低了寄生电感，从而提升高频切换性能。
　　GP712KXBG具备较高的栅极抗静电能力，支持±20V的栅极电压，使其在复杂电磁环境中更加稳定可靠。该器件还具有较低的开关损耗，适合用于高频开关应用，如同步整流器、DC-DC转换器和负载开关控制。
　　由于其良好的热设计和封装散热性能，该MOSFET在高负载条件下仍能保持较低的工作温度，提高系统可靠性并延长使用寿命。

GP712KXBG广泛应用于各种电源管理和开关控制场景。典型应用包括同步整流式DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动控制、负载开关电路、电源管理模块以及各类高效能电源适配器等。
　　在服务器电源、通信设备电源、便携式电子设备和汽车电子系统中，GP712KXBG都能提供高效率和稳定性的功率控制解决方案。其低导通电阻和高频特性也使其适用于高效率同步整流电路，有助于提升整体能效并减少热量产生。
　　此外，该MOSFET还可用于多相电源设计、电源分配系统以及工业自动化控制电路中，作为高效率开关元件使用。

Si2312DS, AO4406, FDS6680, IRF7413