器件类型：瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array）
　　通道数：2
　　工作电压（VRWM）：10V
　　击穿电压（VBR）：11.1V（最大值）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1.5A（8/20μs波形）
　　钳位电压（VC）：18V（典型值，IPP=1A）
　　结电容（Cj）：0.5pF（典型值，f=1MHz）
　　漏电流（IR）：小于1μA（在VRWM条件下）
　　封装类型：SOT-363（SC-70-6）
　　极性：双向
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　功率耗散（PPPM）：300W（峰值脉冲功率）

LAV35VB100K的核心特性在于其卓越的瞬态抑制能力和极低的寄生电容，使其特别适用于高速信号线路的ESD保护。该器件内部集成了两个独立的TVS二极管单元，每个单元均可独立对地进行过压箝制，支持双向保护模式，能够有效应对正负极性的瞬态干扰。其超低结电容（典型值仅为0.5pF）确保了在高频信号传输过程中不会引入明显的信号衰减或失真，适用于高达数Gbps的数据速率应用，如USB 2.0、HDMI 1.3、SD卡接口等。这种低电容设计得益于优化的PN结结构和先进的光刻工艺，在保持高灵敏度的同时最大限度降低对系统带宽的影响。
　　另一个关键特性是其快速响应能力。LAV35VB100K可在皮秒级时间内检测到电压突变并启动箝位机制，远快于传统保护元件如压敏电阻或气体放电管。这一特性使其能有效拦截ESD事件（如IEC 61000-4-2规定的±8kV接触放电和±15kV空气放电），并在瞬间将瞬态能量分流至地，防止其传播至敏感IC引脚。测试数据显示，该器件在经历多次高压冲击后仍能维持稳定的电气性能，展现出优异的耐久性和可靠性。
　　此外，LAV35VB100K具有低漏电流特性（小于1μA），在正常工作状态下几乎不消耗额外功耗，有助于提升系统的整体能效，尤其适合电池供电设备。其SOT-363封装不仅体积小巧（约1.6mm x 1.6mm），还具备良好的热稳定性和机械强度，支持自动化贴片生产流程。整体设计兼顾了高性能、小型化与可制造性，是现代精密电子系统中不可或缺的保护元件。

LAV35VB100K广泛应用于需要高等级静电放电保护的各类电子设备中，尤其是在高速数据接口和便携式电子产品中表现突出。常见应用包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的USB Type-A和Type-C端口保护，用于防范用户插拔过程中产生的ESD损伤。此外，它也被用于高清多媒体接口（HDMI）、DisplayPort、音频耳机插孔、SD卡槽等易受外部静电影响的连接器线路保护。
　　在通信领域，该器件可用于以太网PHY接口、RS-232/RS-485收发器、CAN总线节点等工业通信模块的瞬态防护，提升系统在恶劣电磁环境下的稳定性。在消费类家电中，如智能电视、机顶盒、游戏主机等产品的人机交互接口也常采用LAV35VB100K来增强抗干扰能力。
　　汽车电子方面，尽管该器件主要面向商业级温度范围，但仍可用于车内信息娱乐系统、车载导航仪、后排多媒体接口等非引擎舱区域的低速信号线保护。其符合AEC-Q101的部分应力测试条件，具备一定的车规兼容性基础。
　　此外，工业控制设备中的传感器信号调理电路、编码器接口、触摸屏控制器I/O引脚也可利用LAV35VB100K实现可靠防护。由于其双向极性和双通道设计，非常适合差分信号对（如D+/D-）的同步保护，避免因单侧击穿导致的信号不平衡问题。总体而言，凡是有暴露在外且可能遭受人为或环境静电威胁的电子接口，都是LAV35VB100K的理想应用场景。

RCLAMP3524P
　　SP3012-04UTG
　　TPD3UV1BN
　　ESDA24V3U2-2/TR