IXYH40N90C3 时间：2025/8/6 1:49:18 阅读：37

IXYH40N90C3 是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用CoolMOS? C3技术。该器件专为高效率、高频开关应用而设计，广泛应用于电源转换、开关电源（SMPS）、电机控制以及工业自动化系统中。该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、低开关损耗和高耐压能力，适用于高要求的功率管理系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：40A
　　最大漏源电压：900V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.175Ω
　　功率耗散：340W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247
　　栅极电荷（Qg）：典型值为100nC
　　输入电容（Ciss）：典型值为1570pF

特性

IXYH40N90C3 的核心优势在于其采用了英飞凌的CoolMOS? C3技术，这使得该器件在保持高效率的同时，具备更低的开关损耗和更高的热稳定性。与传统MOSFET相比，CoolMOS? C3系列在相同功率等级下，可以显著减小封装尺寸，提高系统功率密度。此外，该器件具有优异的抗雪崩能力，能够在极端工作条件下提供更高的可靠性和耐用性。
　　其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET的高栅极稳定性设计使其在高频开关应用中表现优异，适用于各种高要求的开关电源拓扑结构，如反激式、正激式、LLC谐振变换器等。
　　IXYH40N90C3 还具有良好的热性能，能够在高环境温度下稳定运行，适合工业级应用。该器件还具备良好的短路耐受能力，进一步增强了其在高应力条件下的稳定性。

应用

IXYH40N90C3 被广泛应用于各类高功率开关电源系统中，包括AC-DC适配器、服务器电源、电信电源、工业电源、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器以及LED照明驱动电路等。其高耐压能力和低导通电阻使其特别适合用于高压输入的电源转换器设计中，能够有效提升整体系统效率和可靠性。此外，该MOSFET也适用于高频变换器和高效能电源管理模块，满足现代电子设备对高效、小型化和高可靠性的需求。