类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-200mA
　　导通电阻（RDS(on)）：最大20Ω（在VGS = -10V）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：SOT-23（标准表面贴装封装）

2SJ474-01L MOSFET采用了先进的沟槽式MOS结构，提供更低的导通电阻和更高的效率。该器件的栅极氧化层经过优化设计，提高了栅极的可靠性和耐用性，能够在频繁开关操作中保持稳定性能。此外，其小尺寸SOT-23封装不仅节省空间，还便于在高密度电路板上布局。
　　这款MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下正常工作，确保系统的可靠性。其P沟道结构适用于低边开关应用，常用于电池供电设备、便携式电子产品、LED驱动器以及逻辑电平转换电路。此外，2SJ474-01L具有快速开关特性，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。
　　由于其低功耗设计，2SJ474-01L非常适合用于节能型电子产品。该器件的封装材料符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，满足现代电子制造的环保要求。

2SJ474-01L 主要应用于以下领域：
　　1. 电源管理系统：如电池充放电控制、低功耗电源开关等。
　　2. 便携式电子设备：如智能手机、平板电脑、智能手表等中的电源管理模块。
　　3. LED驱动电路：用于控制LED灯的开关和亮度调节。
　　4. 逻辑电平转换：在不同电压等级的数字电路之间进行信号转换。
　　5. DC-DC转换器：作为高效能开关元件用于升压或降压电路中。
　　6. 工业自动化控制系统：用于继电器驱动、传感器信号控制等场景。

2SJ355, 2SJ158, DMG2902U