电容值：18 pF
　　容差：±10%
　　温度特性：X7R (EIA)
　　额定电压：50 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　外壳尺寸：0603（英制）
　　外壳尺寸（公制）：1608 mm
　　介质类型：陶瓷
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍/锡（Ni/Sn）
　　电容温度系数：±15% 最大（-55°C 至 +125°C）
　　绝缘电阻：≥1000 MΩ 或 RC ≥ 100 s（取较大者）
　　最大厚度：约1.0 mm
　　长度：1.6 mm ±0.15 mm
　　宽度：0.8 mm ±0.15 mm

LAP02NA180K所采用的X7R型陶瓷介质是一种稳定的铁电材料，具有优异的温度稳定性和较低的电容随电压变化率。在-55°C到+125°C的整个工作温度范围内，其电容值的变化不超过±15%，这使得它非常适合用于对稳定性有一定要求但又不需要NP0/C0G级别超高精度的应用场景。相比传统的Z5U或Y5V介质，X7R提供了更宽的温度适应范围和更好的长期稳定性，因此被广泛应用于电源去耦、中频滤波和模拟信号处理电路中。
　　该电容器采用多层结构设计，通过交替堆叠内电极与陶瓷介质层实现高容量密度。每一层都非常薄，通常在微米量级，从而在极小的空间内实现所需的电气性能。这种结构不仅提升了单位体积下的有效电容值，也显著降低了等效串联电感（ESL），增强了高频下的去耦效果。同时，低ESL特性使其在高速数字系统中能更有效地抑制噪声和电压波动，提高系统的电磁兼容性（EMC）。
　　在机械和环境适应性方面，LAP02NA180K经过优化设计以应对表面贴装过程中的热应力问题。其端子采用镍阻挡层加锡覆盖的结构，既保证了良好的可焊性，又防止了银迁移或铜扩散引起的可靠性下降。该器件可通过标准回流焊工艺进行焊接，兼容无铅制程，峰值温度可达260°C，满足JEDEC Level标准要求。
　　此外，该电容器具有出色的抗湿性和长期老化性能。在高温高湿条件下（如85°C/85%RH），其电容值衰减极小，确保在恶劣环境下仍能维持正常功能。对于需要长时间连续运行的工业控制、汽车电子或网络通信设备而言，这种稳定表现至关重要。整体来看，LAP02NA180K是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的通用型MLCC产品。

LAP02NA180K因其优良的电气特性和小型化设计，广泛应用于多种电子系统中。在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该电容器常用于电源管理单元的输入输出滤波，起到稳定供电电压、减少纹波和抑制高频噪声的作用。其0603的小尺寸使其非常适合空间受限的设计，有助于提升PCB布局密度。
　　在通信设备领域，包括无线基站、路由器和光模块等，LAP02NA180K可用于中频放大器、混频器和振荡器电路中的耦合与旁路应用。由于X7R介质具备较好的频率响应特性，该电容能在数百MHz乃至GHz频段内保持相对稳定的阻抗行为，有助于维持信号完整性。
　　在计算机及服务器主板上，大量使用此类MLCC进行IC电源引脚的局部去耦，尤其是为CPU、GPU和内存芯片提供瞬态电流支持。当处理器快速切换状态时，会产生突发的电流需求，此时靠近电源引脚布置的LAP02NA180K可以迅速释放储能，补偿线路电感带来的延迟，防止电压跌落导致系统异常。
　　此外，该器件也适用于工业自动化控制系统、医疗电子设备以及汽车电子模块（非引擎舱内）中的一般滤波和信号调理任务。虽然不直接用于高压或大功率场合，但其稳定的性能表现使其成为各类混合信号电路中不可或缺的基础元件。随着电子设备向更高集成度和更低功耗发展，像LAP02NA180K这样的高性能陶瓷电容器将继续发挥关键作用。

GRM188R71H180KA01D
　　CL10A180KB8NNNC
　　C1608X7R1H180K