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1SS355VUTE-17 发布时间 时间:2025/11/8 10:33:56 查看 阅读:13

1SS355VUTE-17是一款由ROHM Semiconductor(罗姆半导体)生产的超高速开关二极管,专为高频、低功耗应用设计。该器件采用小型表面贴装封装(SOD-523F),非常适合空间受限的高密度电路板布局。1SS355VUTE-17的主要功能是实现信号整流、电压钳位和静电保护,在便携式消费电子产品中具有广泛的应用。其结构基于PN结硅技术,经过优化以实现极低的结电容和快速的反向恢复时间,从而确保在高频环境下仍能保持优异的开关性能。该二极管具有较高的可靠性与稳定性,符合无铅(Pb-free)和RoHS环保标准,适用于现代绿色电子制造工艺。由于其微小的封装尺寸和优良的电气特性,1SS355VUTE-17常用于智能手机、平板电脑、无线通信模块以及各类高频信号处理电路中,作为关键的保护与控制元件。

参数

型号:1SS355VUTE-17
  类型:超高速开关二极管
  封装/包装:SOD-523F
  极性:单路二极管
  最大反向峰值电压(VRRM):70V
  最大直流阻断电压(VR):70V
  平均整流电流(Io):150mA
  正向压降(VF):1.2V(在IF=1mA时)
  反向漏电流(IR):0.1μA(在VR=60V时)
  结电容(Cj):0.9pF(在Vr=0V, f=1MHz时)
  反向恢复时间(trr):1ns(典型值)
  工作结温范围(Tj):-55℃ ~ +150℃
  热阻(Rth(j-a)):500K/W(典型值)
  安装类型:表面贴装(SMD)
  湿度敏感等级(MSL):1级(车间寿命无限)

特性

1SS355VUTE-17具备卓越的高频开关性能,这主要得益于其极短的反向恢复时间(trr = 1ns),使其能够在GHz级别的信号环境中迅速完成导通与截止状态的切换,有效减少开关损耗并提升系统效率。这一特性特别适用于射频前端电路、高速数据线路以及需要快速响应的数字逻辑接口中。此外,该器件拥有非常低的结电容(Cj = 0.9pF),显著降低了对高频信号的负载效应,避免了因寄生电容引起的信号失真或衰减,从而保证了信号完整性。
  该二极管采用先进的硅外延工艺制造,确保了稳定的电气特性和良好的批次一致性。其正向压降较低,在小电流工作条件下仅为1.2V左右,有助于降低功耗,延长电池供电设备的续航时间。同时,反向漏电流极小(IR ≤ 0.1μA @ VR=60V),即使在高温环境下也能维持出色的关断特性,防止不必要的漏电导致系统异常。器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃,适应严苛的环境条件,适用于工业级和消费级多种应用场景。
  SOD-523F封装尺寸仅为1.0mm x 0.6mm x 0.45mm,属于超小型化设计,极大节省PCB空间,支持高密度贴片组装。该封装还具备良好的散热性能和机械强度,并通过了严格的可靠性测试,包括高温高湿偏置、温度循环、耐焊接热等项目。产品符合RoHS指令要求,不含铅和其他有害物质,支持环保生产流程。此外,MSL等级为1级,意味着在正常存储条件下无需烘烤即可直接进行回流焊,提高了生产效率和良率。整体而言,1SS355VUTE-17是一款集高性能、小型化与高可靠性于一体的超高速开关二极管,满足现代电子系统对高效、节能与紧凑设计的综合需求。

应用

1SS355VUTE-17广泛应用于高频信号处理与保护电路中,常见于移动通信设备如智能手机和平板电脑中的天线开关模块、射频匹配网络及ESD保护路径。其低结电容和快速响应能力使其成为RFID标签读写器、无线局域网(WLAN)、蓝牙和ZigBee等短距离无线通信系统的理想选择。此外,该器件可用于高速数字接口的瞬态电压抑制,例如USB、HDMI和LVDS线路的静电放电(ESD)防护,保障敏感IC免受高压脉冲损害。在便携式消费类电子产品中,它也常被用于电池供电系统的电压检测、反向极性保护和信号整流功能。工业控制领域中,可用于传感器信号调理电路中的箝位与隔离。由于其高可靠性和宽温度范围,亦适用于汽车电子中的非动力系统,如车载信息娱乐系统的音频/视频接口保护。总之,凡涉及高频、低功耗、小体积要求的二极管应用场景,1SS355VUTE-17均能提供稳定可靠的解决方案。

替代型号

MMBD170LT1G
  BAS70-04W
  MA2S111MLN
  RS1J15D4
  CVHD-3

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