时间：2025/8/13 11:03:22
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L8050QLT1G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的NPN型晶体管，广泛应用于低电压和低电流的开关电路中。该晶体管的额定集电极电流为0.8A（800mA），适用于需要中等功率处理能力的电子电路设计。
类型：NPN晶体管
最大集电极电流：0.8A
最大集电极-发射极电压：30V
最大发射极-基极电压：5V
最大基极电流：0.1A
最大功耗：300mW
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-223
L8050QLT1G晶体管具有优异的开关性能，适用于低电压和低功耗应用。其SOT-223封装设计有助于在小型电路板上实现紧凑的布局，同时提供良好的热管理和电气性能。
该晶体管的增益（hFE）范围广泛，通常在110至800之间，具体取决于工作电流和配置条件。这使得L8050QLT1G在不同的电路设计中能够灵活使用，如放大器和开关应用。
此外，L8050QLT1G的耐高温性能使其能够在苛刻的环境条件下稳定运行。它的低饱和压降（VCE(sat)）确保了在导通状态下功耗较低，从而提高了整体电路的效率。
L8050QLT1G晶体管广泛应用于各种电子设备中，包括消费类电子产品、工业控制系统、通信设备以及汽车电子系统。具体应用包括信号放大器、电源管理电路、LED驱动器、马达控制模块以及逻辑电路中的开关元件。
由于其较高的电流承载能力和紧凑的封装形式，L8050QLT1G特别适合用于需要中等功率控制的便携式设备，例如智能手机、平板电脑和电池供电的小型电子装置。
MMBT8050, BC817, 2N3904
