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HY029N10B6 发布时间 时间:2025/9/2 7:46:28 查看 阅读:8

HY029N10B6是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻和高开关性能,适用于各种高效率电源转换系统。其封装形式为TO-220,便于散热和安装。

参数

类型:N沟道
  最大漏极电流(ID):10A
  最大漏源电压(VDS):100V
  导通电阻(RDS(on)):≤0.29Ω
  栅极电压(VGS):±20V
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装:TO-220

特性

HY029N10B6具有低导通电阻,使其在高电流应用中表现出色,减少了导通损耗并提高了效率。
  采用先进的沟槽技术,提高了器件的开关速度和稳定性,适用于高频开关电源设计。
  该器件具有良好的热稳定性,TO-220封装提供了优异的散热能力,适合长时间高负载运行的场合。
  栅极驱动电压范围宽,兼容多种驱动电路,适用于多种功率转换系统。
  内置体二极管,提供反向电流保护,增强了电路的可靠性。

应用

HY029N10B6常用于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器以及各种开关电源设备。
  此外,该MOSFET适用于需要高效率和高可靠性的工业电源、通信设备和消费类电子产品。
  由于其良好的热性能和高电流能力,也适合用于LED驱动、电源适配器和UPS不间断电源系统。
  在电机控制和功率因数校正(PFC)电路中也有广泛应用。

替代型号

HY030N10B6, HY028N10B6

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