HY029N10B6 时间：2025/9/2 7:46:28 阅读：32

HY029N10B6是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高开关性能，适用于各种高效率电源转换系统。其封装形式为TO-220，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤0.29Ω
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装：TO-220

特性

HY029N10B6具有低导通电阻，使其在高电流应用中表现出色，减少了导通损耗并提高了效率。
　　采用先进的沟槽技术，提高了器件的开关速度和稳定性，适用于高频开关电源设计。
　　该器件具有良好的热稳定性，TO-220封装提供了优异的散热能力，适合长时间高负载运行的场合。
　　栅极驱动电压范围宽，兼容多种驱动电路，适用于多种功率转换系统。
　　内置体二极管，提供反向电流保护，增强了电路的可靠性。

应用

HY029N10B6常用于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器以及各种开关电源设备。
　　此外，该MOSFET适用于需要高效率和高可靠性的工业电源、通信设备和消费类电子产品。
　　由于其良好的热性能和高电流能力，也适合用于LED驱动、电源适配器和UPS不间断电源系统。
　　在电机控制和功率因数校正（PFC）电路中也有广泛应用。