HY029N10B6是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻和高开关性能,适用于各种高效率电源转换系统。其封装形式为TO-220,便于散热和安装。
类型:N沟道
最大漏极电流(ID):10A
最大漏源电压(VDS):100V
导通电阻(RDS(on)):≤0.29Ω
栅极电压(VGS):±20V
工作温度范围:-55°C至150°C
封装:TO-220
HY029N10B6具有低导通电阻,使其在高电流应用中表现出色,减少了导通损耗并提高了效率。
采用先进的沟槽技术,提高了器件的开关速度和稳定性,适用于高频开关电源设计。
该器件具有良好的热稳定性,TO-220封装提供了优异的散热能力,适合长时间高负载运行的场合。
栅极驱动电压范围宽,兼容多种驱动电路,适用于多种功率转换系统。
内置体二极管,提供反向电流保护,增强了电路的可靠性。
HY029N10B6常用于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器以及各种开关电源设备。
此外,该MOSFET适用于需要高效率和高可靠性的工业电源、通信设备和消费类电子产品。
由于其良好的热性能和高电流能力,也适合用于LED驱动、电源适配器和UPS不间断电源系统。
在电机控制和功率因数校正(PFC)电路中也有广泛应用。
HY030N10B6, HY028N10B6