容量：1 Mbit
　　组织形式：128K x 8
　　电源电压：3.3V 或 5V（取决于具体版本）
　　访问时间：70ns
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　数据速率：143 MHz
　　读取/写入周期时间：70ns
　　待机电流：低功耗模式下小于10mA
　　封装尺寸：约8mm x 20mm

CXK581000BYM-70LL具备多项显著特性，使其在多种应用中表现出色。首先，其高速访问时间为70ns，适用于需要快速数据存取的高性能系统。该芯片的数据速率为143 MHz，确保了在高速时钟频率下的稳定操作。此外，该SRAM芯片支持低功耗模式，在待机状态下电流消耗极低，适合对功耗敏感的应用。其采用CMOS技术制造，具备良好的抗干扰能力和稳定性。该芯片的封装为TSOP，体积小巧，适合在紧凑型设计中使用。CXK581000BYM-70LL的工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），确保在各种环境条件下都能稳定运行。该芯片的读取和写入周期时间均为70ns，确保了快速的存储器操作。此外，其兼容性良好，可与多种处理器和控制器接口兼容，便于系统集成。

CXK581000BYM-70LL广泛应用于需要高速存储器的电子系统中。典型应用包括网络设备（如路由器和交换机）中的数据缓存、通信设备中的临时存储、工业控制系统的高速数据存储、嵌入式系统的程序和数据存储、测试与测量设备中的高速缓冲存储器，以及图像处理和视频处理系统中的帧缓存。此外，该芯片也常用于高性能计算设备、医疗设备、航空航天电子系统和汽车电子控制系统中，以满足对高速存储和低功耗的需求。

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