电容值：47nF
　　电容公差：±5%
　　额定电压：50V
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，电容变化≤±15%）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装尺寸：1210（3225公制）
　　介质材料：陶瓷
　　直流偏压特性：中等
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 C×V ≥ 10000MΩ·μF
　　等效串联电阻（ESR）：低
　　等效串联电感（ESL）：低
　　老化率：≤2.5% / decade at 25°C

TH11-3J473FT作为一款X7R特性的多层陶瓷电容器，具备优异的温度稳定性，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值的变化不超过±15%，这使其适用于工作环境较为严苛的应用场景。X7R介质材料在各类陶瓷电容中属于性能平衡型，既保证了较高的介电常数以实现较大的电容密度，又具备相对稳定的电气性能。该电容器在直流偏压下的电容保持率优于Z5U或Y5V等材料，但在高电压偏置时仍会有一定程度的容量下降，设计时需参考具体规格书中的DC偏压曲线。
　　该器件采用1210（3.2mm × 2.5mm）封装，是目前广泛应用的中大型贴片电容尺寸之一，相较于小型封装如0805或0603，1210在焊接可靠性、功率承受能力和机械强度方面更具优势，尤其适合用于电源输入/输出端的滤波电路。其内部由多个交错的金属电极与陶瓷介质层叠构成，形成并联结构，有效降低了等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），从而提升高频响应能力，有利于抑制高频噪声。
　　TH11-3J473FT具有良好的耐湿性和抗热冲击性能，符合RoHS环保要求，通常采用卷带包装，便于SMT贴片机自动取放。其绝缘电阻高，漏电流小，在长时间工作下稳定性好，不易发生参数漂移。此外，该电容无极性，适用于交流或直流电路中的去耦和旁路应用。由于陶瓷材料本身的非线性特性，其电容值会随交流电压、频率和温度变化而略有波动，因此在精密定时或谐振电路中应谨慎选用。总体而言，该器件是一款通用性强、性价比高的贴片电容，广泛用于各类电子设备中。

TH11-3J473FT广泛应用于各类电子设备中的去耦、滤波、旁路和信号耦合电路。在电源管理单元中，常用于DC-DC转换器的输入和输出滤波，有效平滑电压纹波，提升电源稳定性。其低ESR和低ESL特性使其能够快速响应瞬态负载变化，抑制高频噪声传播，保护后级敏感电路。在微处理器和FPGA等数字系统中，该电容常被布置在电源引脚附近，作为局部储能元件，提供瞬时电流支持，降低电源阻抗，防止因电流突变引起的电压跌落。
　　在模拟电路中，该电容可用于音频信号耦合或滤波网络，由于其较小的介质吸收和较低的失真，能够较好地传递交流信号。在射频和无线通信模块中，可作为匹配网络或滤波器的一部分，辅助实现阻抗匹配和杂散抑制。此外，在工业控制设备、汽车电子、LED驱动电源和消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、电视机等）中，该电容器也大量用于EMI/RFI抑制电路，提升系统的电磁兼容性（EMC）。
　　由于其1210封装具备较好的机械强度和焊接可靠性，TH11-3J473FT特别适用于存在振动或温度循环的环境中，例如车载电子或户外设备。同时，其符合无铅回流焊工艺要求，适应现代绿色制造标准，适合大规模自动化生产。在维修和替代设计中，该型号也因其通用性而被广泛采用。

[
　　 "C3225X7R1H473K"
　　]