时间：2025/8/2 8:51:42
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DMP2240UW-7 是一款由 Diodes Incorporated 推出的双 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench MOSFET 技术制造。该器件设计用于高性能功率管理应用，具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。DMP2240UW-7 采用微型 8 引脚 SOIC 封装，适用于空间受限的设计，同时具备高电流承载能力，是同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用的理想选择。
类型：双 N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：6.5A
导通电阻(Rds(on))：26mΩ @ Vgs=10V, 15mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散(Pd)：2.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：8-SOIC
DMP2240UW-7 具备多项优异的电气和热性能特点。首先，其双 N 沟道结构设计允许在单个封装中实现两个独立的高性能 MOSFET 器件，从而简化电路设计并减少 PCB 占用空间。该器件的低导通电阻（Rds(on)）特性显著降低了导通损耗，提高了系统效率。在 10V 栅极驱动电压下，Rds(on) 低至 26mΩ，而在 4.5V 驱动电压下仍保持在 15mΩ 左右，使其适用于多种驱动电压环境。
此外，DMP2240UW-7 的最大漏极电流为 6.5A，能够在高负载条件下稳定工作。其高功率耗散能力（2.4W）结合先进的封装技术，确保了良好的热管理性能，适用于持续高功率运行的应用场景。该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），增强了其在不同驱动电路中的兼容性。
该 MOSFET 还具备快速开关特性，降低了开关损耗，提高了响应速度。其高可靠性设计使其在恶劣工作环境下（如高温或频繁负载变化）也能保持稳定运行。此外，DMP2240UW-7 符合 RoHS 环保标准，适用于需要符合环保要求的设计。
DMP2240UW-7 广泛应用于多种功率管理领域，特别是在需要高效率和小尺寸封装的场合。其主要应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、电机驱动器和电源管理系统。在同步整流中，该器件的低导通电阻和快速开关特性有助于提高整流效率并减少功率损耗。在 DC-DC 转换器中，DMP2240UW-7 可作为高效功率开关使用，适用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式设备的电源管理模块。此外，其高电流承载能力和紧凑的封装使其成为电机控制和工业自动化设备中的理想选择。
Si2302DS, NDS355AN, FDMC8878, IRF7413PBF
