L6386ADTR 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高边和低边栅极驱动器集成电路,专为驱动N沟道功率MOSFET和IGBT设计。该芯片采用高压工艺制造,能够在高电压和高频率环境下稳定工作。L6386ADTR广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理以及工业自动化系统等场合。该器件采用SO-20封装,便于PCB布局并提供良好的热性能。
供电电压:12V至20V
高边悬浮电压:最高可达600V
输出驱动能力:拉电流/灌电流均为200mA/400mA
工作频率:最高支持1MHz
输入逻辑类型:TTL/CMOS兼容
封装类型:SO-20
L6386ADTR 具备多项高性能特性,能够满足复杂功率转换和控制应用的需求。其高压集成技术使得该芯片适用于高边开关驱动,能够承受高达600V的电压应力,确保在高电压环境下稳定运行。芯片内部集成了高边和低边驱动器,减少了外围元件的数量,提高了系统的可靠性。
L6386ADTR 提供了宽范围的电源电压(12V至20V),使其适用于多种电源拓扑结构。该芯片的驱动输出具备较高的拉电流和灌电流能力(分别为200mA和400mA),能够快速驱动大功率MOSFET或IGBT,降低开关损耗,提高系统效率。
该驱动器支持高达1MHz的工作频率,适合高频开关应用,如同步整流、谐振转换器和电机控制。输入端兼容TTL和CMOS电平,方便与微控制器、PWM控制器等数字电路接口。
L6386ADTR 还内置了多种保护机制,如欠压锁定(UVLO)和交叉传导保护,防止在异常情况下损坏功率器件。此外,该芯片采用SO-20封装,具有良好的热管理和空间利用率,适用于紧凑型设计和高功率密度应用。
L6386ADTR 主要应用于需要高边和低边驱动能力的功率电子系统中。常见的应用包括:同步降压/升压DC-DC转换器、半桥和全桥拓扑结构、电机驱动控制、电源管理模块以及工业自动化设备中的功率开关控制。由于其高耐压能力和高频工作性能,该芯片也常用于LED照明驱动、逆变器以及太阳能光伏系统中的功率变换部分。
L6384E、IR2110、FAN7382、LM5109B