时间：2025/4/27 14:46:01
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IKWH30N65WR6 是英飞凌（Infineon）推出的一款增强型 N 沟道 MOSFET 功率晶体管，采用 TO-247 封装形式。该器件设计用于高电压和大电流的应用场景，具有低导通电阻和出色的开关性能，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
其耐压值高达 650V，适用于工业、可再生能源以及汽车电子等领域中的开关电源、逆变器和电机驱动等应用。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：30A
导通电阻（典型值）：180mΩ
栅极阈值电压：4V
总功耗：275W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
IKWH30N65WR6 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，适合高压环境下的应用；
2. 超低导通电阻，有助于减少导通损耗，提高整体效率；
3. 快速开关性能，可以支持高频开关操作；
4. 增强的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行；
5. 具备雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性；
6. 使用 OptiMOS? 技术，进一步优化了电气和热性能。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关或同步整流元件；
2. 工业设备中的 DC-DC 转换器；
3. 太阳能逆变器中的功率级切换；
4. 电动车辆及混合动力车辆的电机驱动控制；
5. 各类工业自动化设备的功率调节与控制；
6. 高压负载切换和保护电路。
IKW30N65H,
BSC030N06NS3,
IRFP460,
FDP16N65C,
STP30NF65
