时间：2025/6/23 11:19:30
阅读：7
PST75118ETV是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Phoenix Semiconductor Technology制造。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性等特性，适用于多种功率管理应用，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电源管理等领域。
这款MOSFET通过优化的芯片设计实现了高性能表现，同时其封装形式能够有效提高散热性能，确保在高电流和高频率条件下稳定工作。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：26A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：29nC
输入电容：1360pF
开关时间：开启延迟时间29ns，关断下降时间19ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 高电流处理能力，可满足各种大功率应用需求。
3. 快速开关特性，适合高频开关应用。
4. 优异的热性能，保证了在高温环境下的可靠性。
5. 小巧的封装尺寸，便于PCB布局和空间受限的设计。
6. 高击穿电压和稳健的电气性能，增强了器件的耐用性和安全性。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 负载开关
4. 汽车电子系统中的电机驱动
5. 工业设备中的功率控制
6. 笔记本电脑和移动设备的充电解决方案
7. LED照明驱动电路
8. 电池管理系统（BMS）
IRF7404, FDP5560, AOT290L
