时间：2025/4/30 10:06:02
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BSC0504NSI 是一款 N 沦道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提高系统效率。
这款 MOSFET 采用 SOT23 封装形式，非常适合空间受限的应用环境。其高可靠性和稳定性使其成为众多电子设计中的理想选择。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.1A
导通电阻：1.9Ω
总栅极电荷：3nC
输入电容：220pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
BSC0504NSI 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗，提升整体效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用场合。
3. 小型封装（SOT23），节省 PCB 空间。
4. 高度稳定的电气性能，在极端温度范围内仍能保持良好的表现。
5. 低栅极电荷，有助于降低驱动功耗。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
BSC0504NSI 的这些特性使其在消费类电子产品、工业控制设备以及汽车电子领域中广泛应用。
BSC0504NSI 广泛应用于以下场景：
1. 开关模式电源（SMPS）中的初级侧或次级侧开关。
2. 各类 DC-DC 转换器中的同步整流或降压/升压功能。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 电池管理系统的充放电控制。
5. 各种负载切换和保护电路。
由于其出色的电气特性和紧凑的封装尺寸，BSC0504NSI 成为许多便携式设备和小型化设计的理想选择。
BSC0504LSG
IRLML6402
FDS6670A
