L2SC4617QT1G 时间：2025/5/20 8:52:26 阅读：2

L2SC4617QT1G 是一款由 ON Semiconductor 提供的 N 沟道 MOSFET 功率晶体管。该器件采用 SuperFET II 技术制造，具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高开关速度，适合用于要求高效能和高频率的应用场景。L2SC4617QT1G 主要应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等电路中。
　　该器件的封装形式为 LFPAK56（D2PAK 封装），使其能够承受较高的电流并提供良好的散热性能。

参数

最大漏源电压：55V
　　连续漏极电流：30A
　　导通电阻：1.9mΩ
　　栅极电荷：38nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

L2SC4617QT1G 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在 10V 栅极驱动下仅为 1.9mΩ，从而显著降低传导损耗。
　　2. 快速开关能力，得益于其低栅极电荷和优化的内部结构，适用于高频开关应用。
　　3. 高额定电流能力，连续漏极电流高达 30A，确保在大电流条件下稳定运行。
　　4. 宽泛的工作温度范围，从 -55°C 到 +175°C，适应各种恶劣环境。
　　5. 符合 RoHS 标准，并且无卤素，满足环保要求。
　　6. 采用 LFPAK56 封装，具备出色的热性能和电气性能。

应用

L2SC4617QT1G 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 中的功率转换级。
　　2. 各种 DC-DC 转换器，例如降压转换器、升压转换器或升降压转换器。
　　3. 工业电机驱动和控制电路中的功率开关元件。
　　4. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关或保护开关。
　　5. LED 驱动器中的功率级控制元件。
　　6. 汽车电子系统中的功率分配与控制模块。