HY5-P是一种高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于高功率和高压开关应用。该器件具有高电压阻断能力,适用于电源转换器、电机控制、逆变器等工业和消费类电子设备。HY5-P采用先进的硅技术制造,具有低导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电压(Vds):500V
最大漏极电流(Id):5A
导通电阻(Rds(on)):约1.8Ω
最大功耗(Pd):50W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:TO-220
HY5-P是一款专为高电压应用设计的功率MOSFET,具有出色的电气性能和热管理能力。其高耐压特性(500V)使其适用于多种高电压转换和控制电路。该器件的低导通电阻(Rds(on))约为1.8Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,HY5-P具备良好的抗过载能力和高温稳定性,能够在恶劣环境下稳定工作。
该MOSFET采用TO-220封装,便于散热并提高功率处理能力,适用于中高功率应用。其结构设计优化了开关性能,减少了开关损耗,并提高了整体系统的可靠性和寿命。HY5-P还具有快速开关响应能力,适用于高频开关电路,如DC-DC转换器、AC-DC电源、LED驱动器等。
在可靠性方面,HY5-P经过严格测试,具有良好的短路保护能力和抗静电放电(ESD)性能。它能够在高电流和高电压条件下保持稳定运行,适用于要求较高的工业和消费电子应用。此外,该器件的制造工艺符合环保标准,支持无铅焊接和RoHS指令要求。
HY5-P广泛应用于各种高电压和中等功率的电子系统中,如电源适配器、LED照明驱动器、电机控制电路、逆变器、充电器、DC-DC转换器以及工业自动化设备中的开关电路。其高耐压能力和良好的热性能使其成为高可靠性设计的理想选择。
FQP5N50C, IRF540N, STP5NK50Z, 2SK2647